脚位/封装 | FBGA |
外包裝 | TRAY |
無鉛/環保 | 含鉛 |
電壓(伏) | 3.3 V |
溫度規格 | 0 C~+70 C |
速度 | 133 MHZ |
標準包裝數量 | |
標準外箱 | |
Number Of Words | 4M |
Bit Organization | x32 |
Density | 128M |
Package Material | normal |
Hynix Memory | HY |
Die Generation | 1st Gen. |
Shipping Method | tray |
IC 編號 | 脚位/封装 | 電壓(伏) | 速度 | 溫度規格 |
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HY5V22EMP-H SDRAM 4MX32 | FBGA | 3.3 V | 133 MHZ | 0 C~+70 C |