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| 製造商IC編號 | K4A8G165WB-BCWE |
| 廠牌 | SAMSUNG/三星 |
| IC 類別 | DDR4 SDRAM |
| IC代碼 | 512MX16 DDR4 |
| 共通IC編號 | K4A8G165WB-BCWE0CV |
| 脚位/封装 | FBGA-96 |
| 外包裝 | TRAY |
| 無鉛/環保 | 無鉛/環保 |
| 電壓(伏) | 1.2 V |
| 溫度規格 | 0 C~+85 C |
| 速度 | 3200 MBPS |
| 標準包裝數量 | 1120 |
| 標準外箱 | |
| Number Of Words | 512M |
| Bit Organization | x16 |
| Density | 8Gb |
| Internal Banks | 16 Banks |
| Power | Normal Power |
| Generation | 3rd Generation |
| IC 編號 | 數量 | 生產年份 | |
|---|---|---|---|
| K4A8G165WB-BCWE | 17,920 | 25+ | 索取報價 |
| K4A8G165WB-BCWE | 3,000 | 2023 | 索取報價 |
| K4A8G165WB-BCWE | 2,240 | 索取報價 | |
| K4A8G165WB-BCWE | 13,440 | 22 | 索取報價 |
| K4A8G165WB-BCWE | 0 | 22+ | 索取報價 |
| K4A8G165WB-BCWE | 0 | 索取報價 | |
| K4A8G165WB-BCWE | 10,000 | 22+ | 索取報價 |
| K4A8G165WB-BCWE | 10,000 | 索取報價 | |
| K4A8G165WB-BCWE | 20,160 | 索取報價 | |
| K4A8G165WB-BCWE | 11,200 | 索取報價 |
| IC 編號 | 脚位/封装 | 電壓(伏) | 速度 | 溫度規格 |
|---|---|---|---|---|
| MT40A512M16LY-062E:E | FBGA-96 | 1.2 V | 3200 MBPS | 0 C~+85 C |
| IC 編號 | 脚位/封装 | 電壓(伏) | 速度 | 溫度規格 |
|---|---|---|---|---|
| H5AN8G6NCIR-XNIR | FBGA-96 | 1.2 V | 3200 MBPS | 0 C~+85 C |
| H5AN8G6NCJR-XNC | FBGA-96 | 1.2 V | 3200 MBPS | 0 C~+85 C |
| H5AN8G6NCJR-XNCR | FBGA-96 | 1.2 V | 3200 MBPS | 0 C~+85 C |
| H5AN8G6NDJR-XNC | FBGA-96 | 1.2 V | 3200 MBPS | 0 C~+85 C |
| H5AN8G6NDJR-XNCR | FBGA-96 | 1.2 V | 3200 MBPS | 0 C~+85 C |
| IS43QR16512A-062B | FBGA-96 | 1.2 V | 3200 MBPS | 0 C~+85 C |
| IS43QR16512A-062BL | FBGA-96 | 1.2 V | 3200 MBPS | 0 C~+85 C |
| IS43QR16512B-062AABL | FBGA-96 | 1.2 V | 3200 MBPS | 0 C~+85 C |
| K4A8G165WC-BCWE | FBGA-96 | 1.2 V | 3200 MBPS | 0 C~+85 C |
| K4A8G165WC-BCWE000 | FBGA-96 | 1.2 V | 3200 MBPS | 0 C~+85 C |