圖片僅供參考
製造商IC編號 | K4B1G1646I-BHMA |
廠牌 | SAMSUNG/三星 |
IC 類別 | DDR3L SDRAM |
IC代碼 | 64MX16 DDR3L |
脚位/封装 | FBGA-96 |
外包裝 | |
無鉛/環保 | 無鉛/環保 |
電壓(伏) | 1.35V |
溫度規格 | -40 C~+105 C |
速度 | 1866 MBPS |
標準包裝數量 | |
標準外箱 | |
Number Of Words | 64M |
Bit Organization | x16 |
Density | 1G |
Internal Banks | 8 Banks |
Generation | 10th Generation |
Power | Low, i-TCSR & PASR & DS |
IC 編號 | 數量 | 生產年份 | |
---|---|---|---|
K4B1G1646I-BHMA | 12,000 | 2107 | 索取報價 |
IC 編號 | 脚位/封装 | 電壓(伏) | 速度 | 溫度規格 |
---|---|---|---|---|
MT41K64M16TW-107AAT:J | FBGA-96 | 1.35V | 1866 MBPS | -40 C~+105 C |
IC 編號 | 脚位/封装 | 電壓(伏) | 速度 | 溫度規格 |
---|---|---|---|---|
IS46TR16640BL-107MBLA2 | FBGA-96 | 1.35V | 1866 MBPS | -40 C~+105 C |
IS46TR16640BL-107MBLA2-BM | FBGA-96 | 1.35V | 1866 MBPS | -40 C~+105 C |
IS46TR16640BL-107MBLA2-TR | FBGA-96 | 1.35V | 1866 MBPS | -40 C~+105 C |
IS46TR16640CL-107MBLA2 | FBGA-96 | 1.35V | 1866 MBPS | -40 C~+105 C |
IS46TR16640CL-107MBLA2-BM | FBGA-96 | 1.35V | 1866 MBPS | -40 C~+105 C |
MT41K64M16TW-107 AAT | FBGA-96 | 1.35V | 1866 MBPS | -40 C~+105 C |
MT41K64M16TW-107 AAT:J TR | FBGA-96 | 1.35V | 1866 MBPS | -40 C~+105 C |
MT41K64M16TW-107AATJ | FBGA-96 | 1.35V | 1866 MBPS | -40 C~+105 C |
MT41K64M16TW107AATJTR | FBGA-96 | 1.35V | 1866 MBPS | -40 C~+105 C |
NT5CC64M16GP-EKH | FBGA-96 | 1.35V | 1866 MBPS | -40 C~+105 C |