K4B2G0846D-HYF8

產品概述

IC Picture

圖片僅供參考

製造商IC編號 K4B2G0846D-HYF8
廠牌 SAMSUNG/三星
IC 類別 DDR3 SDRAM
IC代碼 256MX8 DDR3

產品詳情

脚位/封装 FBGA-78
外包裝
無鉛/環保 無鉛/環保
電壓(伏) 1.5 V
溫度規格 0 C~+85 C
速度 1066 MBPS
標準包裝數量
標準外箱
Number Of Words 256M
Bit Organization x8
Density 2G
Internal Banks 8 Banks
Generation 5th Generation
Power Low VDD(1.35V)

供應鏈有貨

IC 編號 數量 生產年份
K4B2G0846D-HYF8 4,000 索取報價
K4B2G0846D-HYF8 2,000 2009+ 索取報價

FFFE/互通料號 (形式，腳位和功能對等)

IC 編號 脚位/封装 電壓(伏) 速度 溫度規格
K4B2G0846D-HCF8 FBGA-78 1.5 V 1066 MBPS 0 C~+85 C
K4B2G0846DHCF7 FBGA-78 1.5 V 1066 MBPS 0 C~+85 C
K4B2G0846E-MCF8 FBGA-78 1.5 V 1066 MBPS 0 C~+85 C
MT41J256M8DA-187E ES:H FBGA-78 1.5 V 1066 MBPS 0 C~+85 C
MT41J256M8DA-187E ES:J FBGA-78 1.5 V 1066 MBPS 0 C~+85 C
MT41J256M8DA-187E:H FBGA-78 1.5 V 1066 MBPS 0 C~+85 C
MT41J256M8HX-187E FBGA-78 1.5 V 1066 MBPS 0 C~+85 C
MT41J256M8HX-187E ES:D FBGA-78 1.5 V 1066 MBPS 0 C~+85 C
MT41J256M8HX-187E:D FBGA-78 1.5 V 1066 MBPS 0 C~+85 C
MT41J256M8HX-187E:F FBGA-78 1.5 V 1066 MBPS 0 C~+85 C