K4B2G0846D-HYF8

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Hersteller-Nummer K4B2G0846D-HYF8
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie DDR3 SDRAM
IC-Code 256MX8 DDR3

Produktbeschreibung

Gehäuse FBGA-78
Verpackung
RoHS RoHS
Spannungsversorgung 1.5 V
Betriebstemperatur 0 C~+85 C
Geschwindigkeit 1066 MBPS
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words 256M
Bit Organization x8
Density 2G
Internal Banks 8 Banks
Generation 5th Generation
Power Low VDD(1.35V)

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K4B2G0846D-HYF8 4.000 Anfrage senden
K4B2G0846D-HYF8 2.000 2009+ Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
K4B2G0846D-HCF8 FBGA-78 1.5 V 1066 MBPS 0 C~+85 C
K4B2G0846DHCF7 FBGA-78 1.5 V 1066 MBPS 0 C~+85 C
K4B2G0846E-MCF8 FBGA-78 1.5 V 1066 MBPS 0 C~+85 C
MT41J256M8DA-187E ES:H FBGA-78 1.5 V 1066 MBPS 0 C~+85 C
MT41J256M8DA-187E ES:J FBGA-78 1.5 V 1066 MBPS 0 C~+85 C
MT41J256M8DA-187E:H FBGA-78 1.5 V 1066 MBPS 0 C~+85 C
MT41J256M8HX-187E FBGA-78 1.5 V 1066 MBPS 0 C~+85 C
MT41J256M8HX-187E ES:D FBGA-78 1.5 V 1066 MBPS 0 C~+85 C
MT41J256M8HX-187E:D FBGA-78 1.5 V 1066 MBPS 0 C~+85 C
MT41J256M8HX-187E:F FBGA-78 1.5 V 1066 MBPS 0 C~+85 C