K4B2G0846D-HYF8
Produktübersicht
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| Hersteller-Nummer | K4B2G0846D-HYF8 |
| Hersteller | SAMSUNG |
| Produktkategorie | DDR3 SDRAM |
| IC-Code | 256MX8 DDR3 |
Produktbeschreibung
| Gehäuse | FBGA-78 |
| Verpackung | |
| RoHS | RoHS |
| Spannungsversorgung | 1.5 V |
| Betriebstemperatur | 0 C~+85 C |
| Geschwindigkeit | 1066 MBPS |
| Standard Stückzahl | |
| Abmessungen Karton | |
| Number Of Words | 256M |
| Bit Organization | x8 |
| Density | 2G |
| Internal Banks | 8 Banks |
| Generation | 5th Generation |
| Power | Low VDD(1.35V) |
Verfügbare Angebote
| Teilenummer | Menge | Datecode | |
|---|---|---|---|
| K4B2G0846D-HYF8 | 4.000 | Anfrage senden | |
| K4B2G0846D-HYF8 | 2.000 | 2009+ | Anfrage senden |
FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)
| Teilenummer | Gehäuse | Spannungsversorgung | Geschwindigkeit | Betriebstemperatur |
|---|---|---|---|---|
| MT41J256M8THV-187E:F | FBGA-78 | 1.5 V | 1066 MBPS | 0 C~+85 C |