K4B4G0846D/E-BCK0

產品概述

IC Picture

圖片僅供參考

製造商IC編號 K4B4G0846D/E-BCK0
廠牌 SAMSUNG/三星
IC 類別 DDR3 SDRAM
IC代碼 512MX8 DDR3

產品詳情

脚位/封装 FBGA-78
外包裝 TRAY
無鉛/環保 無鉛/環保
電壓(伏) 1.5 V
溫度規格 -40 C~+85 C
速度 1600 MBPS
標準包裝數量
標準外箱
Number Of Words 512M
Bit Organization x8
Density 4G
Internal Banks 8 Banks
Generation 5th Generation

FFFE/互通料號 (形式,腳位和功能對等)

IC 編號 脚位/封装 電壓(伏) 速度 溫度規格
IS43TR85120BL-125KBLA1 BGA-78 1.35V/1.5V 1600 MBPS -40 C~+85 C
IS43TR85120BL-125KBLI BGA-78 1.35V/1.5V 1600 MBPS -40 C~+85 C
IS43TR85120EC-125KBI BGA-78 1.5 V 1600 MBPS -40 C~+85 C
IS43TR85120EC-125KBLA1 BGA-78 1.5 V 1600 MBPS -40 C~+85 C
IS43TR85120EC-125KBLI BGA-78 1.5 V 1600 MBPS -40 C~+85 C
IS43TR85120EC-125LBI BGA-78 1.5 V 1600 MBPS -40 C~+85 C
IS43TR85120EC-125LBLA1 BGA-78 1.5 V 1600 MBPS -40 C~+85 C
IS43TR85120EC-125LBLI BGA-78 1.5 V 1600 MBPS -40 C~+85 C
IS43TR85120ECL-125KBI BGA-78 1.35V/1.5V 1600 MBPS -40 C~+85 C
IS43TR85120ECL-125KBLA1 BGA-78 1.35V/1.5V 1600 MBPS -40 C~+85 C