圖片僅供參考
製造商IC編號 | K4B4G0846E-BCNB |
廠牌 | SAMSUNG/三星 |
IC 類別 | DDR3 SDRAM |
IC代碼 | 512MX8 DDR3 |
共通IC編號 | K4B4G0846E-BCNB000 |
K4B4G0846E-BCNBT0 | |
K4B4G0846E-BCNBT00 |
脚位/封装 | FBGA-78 |
外包裝 | |
無鉛/環保 | 無鉛/環保 |
電壓(伏) | 1.5 V |
溫度規格 | 0 C~+85 C |
速度 | 2133 MBPS |
標準包裝數量 | 1280 |
標準外箱 | |
Number Of Words | 512M |
Bit Organization | x8 |
Density | 4G |
Internal Banks | 8 Banks |
Generation | 6th Generation |
Power | Normal Power |
IC 編號 | 數量 | 生產年份 | |
---|---|---|---|
K4B4G0846E-BCNB | 12,800 | 19+ | 索取報價 |
K4B4G0846E-BCNB | 10,240 | 19+ | 索取報價 |
K4B4G0846E-BCNB000 | 76 | 索取報價 | |
K4B4G0846E-BCNB000 | 1 | 索取報價 | |
K4B4G0846E-BCNB000 | 76 | 3116 | 索取報價 |
K4B4G0846E-BCNB000 | 1 | 1501 | 索取報價 |
K4B4G0846E-BCNB | 25,600 | 索取報價 | |
K4B4G0846E-BCNBT00 | 100,000+ | 2018+ | 索取報價 |
K4B4G0846E-BCNB | 34,000 | 索取報價 | |
K4B4G0846E-BCNB | 17,000 | 索取報價 |
IC 編號 | 脚位/封装 | 電壓(伏) | 速度 | 溫度規格 |
---|---|---|---|---|
NT5CB512M8EQ-FL | TFBGA-78 | 1.5 V | 2133 MBPS | 0 C~+95 C |
IC 編號 | 脚位/封装 | 電壓(伏) | 速度 | 溫度規格 |
---|---|---|---|---|
IS43TR85120A-093NB | BGA-78 | 1.5 V | 2133 MBPS | 0 C~+85 C |
IS43TR85120A-093NBL | BGA-78 | 1.5 V | 2133 MBPS | 0 C~+85 C |
IS43TR85120A-093NBL-TR | BGA-78 | 1.5 V | 2133 MBPS | 0 C~+85 C |
IS43TR85120A-093NBLC | BGA-78 | 1.5 V | 2133 MBPS | 0 C~+85 C |
K4B4G0846D-BCNB | FBGA-78 | 1.5 V | 2133 MBPS | 0 C~+85 C |
K4B4G0846D-BCNB000 | FBGA-78 | 1.5 V | 2133 MBPS | 0 C~+85 C |
K4B4G0846D-BCNB0S3 | FBGA-78 | 1.5 V | 2133 MBPS | 0 C~+85 C |
K4B4G0846D-BCNBT00 | FBGA-78 | 1.5 V | 2133 MBPS | 0 C~+85 C |
K4B4G0846D-BCNBTR | FBGA-78 | 1.5 V | 2133 MBPS | 0 C~+85 C |
MT41J512M8RH-093 ES:E | FBGA-78 | 1.5 V | 2133 MBPS | 0 C~+85 C |