K4B4G0846E-BMMA
產品概述
圖片僅供參考
| 製造商IC編號 | K4B4G0846E-BMMA |
| 廠牌 | SAMSUNG/三星 |
| IC 類別 | DDR3L SDRAM |
| IC代碼 | 512MX8 DDR3L |
| 共通IC編號 | K4B4G0846E-BMMA000 |
| K4B4G0846E-BMMA0CV | |
| K4B4G0846E-BMMATCV |
產品詳情
| 脚位/封装 | FBGA-78 |
| 外包裝 | |
| 無鉛/環保 | 無鉛/環保 |
| 電壓(伏) | 1.35V |
| 溫度規格 | -40 C~+95 C |
| 速度 | 1866 MBPS |
| 標準包裝數量 | |
| 標準外箱 | |
| Number Of Words | 512M |
| Bit Organization | x8 |
| Density | 4G |
| Internal Banks | 8 Banks |
| Generation | 6th Generation |
| Power | Low VDD(1.35V) |
供應鏈有貨
| IC 編號 | 數量 | 生產年份 | |
|---|---|---|---|
| K4B4G0846E-BMMA | 2,000 | 索取報價 | |
| K4B4G0846E-BMMATCV | 4,000 | 索取報價 | |
| K4B4G0846E-BMMA0CV | 47 | 索取報價 | |
| K4B4G0846E-BMMA0CV | 313 | 索取報價 | |
| K4B4G0846E-BMMA0CV | 2,853 | 索取報價 | |
| K4B4G0846E-BMMA000 | 983 | 索取報價 | |
| K4B4G0846E-BMMA0CV | 1,573 | 索取報價 | |
| K4B4G0846E-BMMA | 907 | 2020/31 | 索取報價 |
| K4B4G0846E-BMMA0CV | 1,816 | 20 | 索取報價 |
| K4B4G0846E-BMMA0CV | 1,816 | 索取報價 |
可替代IC編號
| IC 編號 | 脚位/封装 | 電壓(伏) | 速度 | 溫度規格 |
|---|---|---|---|---|
| MT41K512M8DA-107 AIT:P | FBGA-78 | 1.35V | 1866 MBPS | -40 C~+95 C |
FFFE/互通料號 (形式，腳位和功能對等)
| IC 編號 | 脚位/封装 | 電壓(伏) | 速度 | 溫度規格 |
|---|---|---|---|---|
| MT41K512M8RH-107 IT ES:E | FBGA-78 | 1.35V | 1866 MBPS | -40 C~+95 C |
| MT41K512M8RH-107 IT:E | FBGA-78 | 1.35V | 1866 MBPS | -40 C~+95 C |
| MT41K512M8RH-107IT | FBGA-78 | 1.35V | 1866 MBPS | -40 C~+95 C |
| NT5CC512M8DN-EKI | TFBGA-78 | 1.35V | 1866 MBPS | -40 C~+95 C |
| NT5CC512M8EQ-EK TR | TFBGA-78 | 1.35V | 1866 MBPS | -40 C~+95 C |
| NT5CC512M8EQ-EKI | TFBGA-78 | 1.35V | 1866 MBPS | -40 C~+95 C |
| NT5CC512M8EQ-EKT | TFBGA-78 | 1.35V | 1866 MBPS | -40 C~+95 C |