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Hersteller-Nummer | K4B4G0846E-BMMA |
Hersteller | SAMSUNG |
Produktkategorie | DDR3L SDRAM |
IC-Code | 512MX8 DDR3L |
Andere Bezeichnungen | K4B4G0846E-BMMA000 |
K4B4G0846E-BMMA0CV | |
K4B4G0846E-BMMATCV |
Gehäuse | FBGA-78 |
Verpackung | |
RoHS | RoHS |
Spannungsversorgung | 1.35V |
Betriebstemperatur | -40 C~+95 C |
Geschwindigkeit | 1866 MBPS |
Standard Stückzahl | |
Abmessungen Karton | |
Number Of Words | 512M |
Bit Organization | x8 |
Density | 4G |
Internal Banks | 8 Banks |
Generation | 6th Generation |
Power | Low VDD(1.35V) |
Teilenummer | Menge | Stückpreis (USD) | Datecode | Anmerkung | |
---|---|---|---|---|---|
K4B4G0846E-BMMA0CV | 743 | 2134 | Auf Lager | Anfrage senden | |
K4B4G0846E-BMMA0CV | 1.073 | 2131 | Auf Lager | Anfrage senden |
Teilenummer | Menge | Datecode | |
---|---|---|---|
K4B4G0846E-BMMA | 2.000 | Anfrage senden | |
K4B4G0846E-BMMATCV | 4.000 | Anfrage senden | |
K4B4G0846E-BMMA0CV | 47 | Anfrage senden | |
K4B4G0846E-BMMA0CV | 313 | Anfrage senden | |
K4B4G0846E-BMMA0CV | 2.853 | Anfrage senden | |
K4B4G0846E-BMMA000 | 983 | Anfrage senden | |
K4B4G0846E-BMMA0CV | 1.573 | Anfrage senden | |
K4B4G0846E-BMMA | 907 | 2020/31 | Anfrage senden |
K4B4G0846E-BMMA0CV | 1.816 | 20 | Anfrage senden |
K4B4G0846E-BMMA0CV | 1.816 | Anfrage senden |
Teilenummer | Gehäuse | Spannungsversorgung | Geschwindigkeit | Betriebstemperatur |
---|---|---|---|---|
MT41K512M8DA-107 AIT:P | FBGA-78 | 1.35V | 1866 MBPS | -40 C~+95 C |
Teilenummer | Gehäuse | Spannungsversorgung | Geschwindigkeit | Betriebstemperatur |
---|---|---|---|---|
MT41K512M8RH-107 IT ES:E | FBGA-78 | 1.35V | 1866 MBPS | -40 C~+95 C |
MT41K512M8RH-107 IT:E | FBGA-78 | 1.35V | 1866 MBPS | -40 C~+95 C |
MT41K512M8RH-107IT | FBGA-78 | 1.35V | 1866 MBPS | -40 C~+95 C |
NT5CC512M8DN-EKI | TFBGA-78 | 1.35V | 1866 MBPS | -40 C~+95 C |
NT5CC512M8EQ-EK TR | TFBGA-78 | 1.35V | 1866 MBPS | -40 C~+95 C |
NT5CC512M8EQ-EKI | TFBGA-78 | 1.35V | 1866 MBPS | -40 C~+95 C |
NT5CC512M8EQ-EKT | TFBGA-78 | 1.35V | 1866 MBPS | -40 C~+95 C |