K4B4G0846E-BMMA

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Hersteller-Nummer K4B4G0846E-BMMA
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie DDR3L SDRAM
IC-Code 512MX8 DDR3L
Andere Bezeichnungen K4B4G0846E-BMMA000
K4B4G0846E-BMMA0CV
K4B4G0846E-BMMATCV

Produktbeschreibung

Gehäuse FBGA-78
Verpackung
RoHS RoHS
Spannungsversorgung 1.35V
Betriebstemperatur -40 C~+95 C
Geschwindigkeit 1866 MBPS
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words 512M
Bit Organization x8
Density 4G
Internal Banks 8 Banks
Generation 6th Generation
Power Low VDD(1.35V)

Lager

Teilenummer Menge Stückpreis (USD) Datecode Anmerkung
K4B4G0846E-BMMA0CV 743 2134 Auf Lager Anfrage senden
K4B4G0846E-BMMA0CV 1.073 2131 Auf Lager Anfrage senden

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K4B4G0846E-BMMA 2.000 Anfrage senden
K4B4G0846E-BMMATCV 4.000 Anfrage senden
K4B4G0846E-BMMA0CV 47 Anfrage senden
K4B4G0846E-BMMA0CV 313 Anfrage senden
K4B4G0846E-BMMA0CV 2.853 Anfrage senden
K4B4G0846E-BMMA000 983 Anfrage senden
K4B4G0846E-BMMA0CV 1.573 Anfrage senden
K4B4G0846E-BMMA 907 2020/31 Anfrage senden
K4B4G0846E-BMMA0CV 1.816 20 Anfrage senden
K4B4G0846E-BMMA0CV 1.816 Anfrage senden

Cross Reference

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
MT41K512M8DA-107 AIT:P FBGA-78 1.35V 1866 MBPS -40 C~+95 C

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
AS4C512M8D3LB-10BIN FBGA-78 1.35V 1866 MBPS -40 C~+95 C
AS4C512M8D3LB-10BINTR FBGA-78 1.35V 1866 MBPS -40 C~+95 C
H5TC4G83CFR-RDI FBGA-78 1.35V 1866 MBPS -40 C~+95 C
H5TC4G83EFR-RDI FBGA-78 1.35V 1866 MBPS -40 C~+95 C
K4B4G0846E-BMM0 FBGA-78 1.35V 1866 MBPS -40 C~+95 C
MT41K512M8DA-107 AIT ES:P FBGA-78 1.35V 1866 MBPS -40 C~+95 C
MT41K512M8DA-107 AIT:P TR FBGA-78 1.35V 1866 MBPS -40 C~+95 C
MT41K512M8DA-107 AIT:R FBGA-78 1.35V 1866 MBPS -40 C~+95 C
MT41K512M8DA-107 IT ES:P FBGA-78 1.35V 1866 MBPS -40 C~+95 C
MT41K512M8DA-107 IT:P FBGA-78 1.35V 1866 MBPS -40 C~+95 C