K4B4G0846E-BMMA

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产品概述

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制造商IC编号 K4B4G0846E-BMMA
厂牌 SAMSUNG/三星
IC 类别 DDR3L SDRAM
IC代码 512MX8 DDR3L
共通IC编号 K4B4G0846E-BMMA000
K4B4G0846E-BMMA0CV
K4B4G0846E-BMMATCT
K4B4G0846E-BMMATCV

产品详情

脚位/封装 FBGA-78
外包装 TRAY
无铅/环保 无铅/环保
电压(伏) 1.35V
温度规格 -40 C~+95 C
速度 1866 MBPS
标准包装数量 1280
标准外箱
Number Of Words 512M
Bit Organization x8
Density 4G
Internal Banks 8 Banks
Power Low VDD(1.35V)
Generation 6th Generation

库存

IC 编号 数量 单价 (USD) 生产年份 附记
K4B4G0846E-BMMA0CV 743 2134 AB库存 索取报价
K4B4G0846E-BMMA0CV 1,073 2131 AB库存 索取报价

供应链有货

IC 编号 数量 生产年份
K4B4G0846E-BMMATCT 440 索取报价
K4B4G0846E-BMMA 0 索取报价
K4B4G0846E-BMMATCT 2,440 索取报价
K4B4G0846E-BMMA 6,000 索取报价
K4B4G0846E-BMMA 1,280 索取报价
K4B4G0846E-BMMA 2,000 索取报价
K4B4G0846E-BMMATCV 4,000 索取报价
K4B4G0846E-BMMA0CV 47 索取报价
K4B4G0846E-BMMA0CV 313 索取报价
K4B4G0846E-BMMA0CV 2,853 索取报价

可替代IC编号

IC 编号 脚位/封装 电压(伏) 速度 温度规格
MT41K512M8DA-107 AIT:P FBGA-78 1.35V 1866 MBPS -40 C~+95 C

FFFE/互通料号 (形式，腳位和功能对等)

IC 编号 脚位/封装 电压(伏) 速度 温度规格
H5TC4G83CFR-RDI FBGA-78 1.35V 1866 MBPS -40 C~+95 C
H5TC4G83EFR-RDI FBGA-78 1.35V 1866 MBPS -40 C~+95 C
K4B4G0846E-BMM0 FBGA-78 1.35V 1866 MBPS -40 C~+95 C
MT41K512M8DA-107 AIT ES:P FBGA-78 1.35V 1866 MBPS -40 C~+95 C
MT41K512M8DA-107 AIT:P TR FBGA-78 1.35V 1866 MBPS -40 C~+95 C
MT41K512M8DA-107 AIT:R FBGA-78 1.35V 1866 MBPS -40 C~+95 C
MT41K512M8DA-107 IT ES:P FBGA-78 1.35V 1866 MBPS -40 C~+95 C
MT41K512M8DA-107 IT:P FBGA-78 1.35V 1866 MBPS -40 C~+95 C
MT41K512M8DA-107 IT:P FBGA-78 1.35V 1866 MBPS -40 C~+95 C
MT41K512M8DA-107 IT:PTR FBGA-78 1.35V 1866 MBPS -40 C~+95 C