K4B4G0846E-BMMA
产品概述
图片仅供参考
| 制造商IC编号 | K4B4G0846E-BMMA |
| 厂牌 | SAMSUNG/三星 |
| IC 类别 | DDR3L SDRAM |
| IC代码 | 512MX8 DDR3L |
| 共通IC编号 | K4B4G0846E-BMMA000 |
| K4B4G0846E-BMMA0CV | |
| K4B4G0846E-BMMATCV |
产品详情
| 脚位/封装 | FBGA-78 |
| 外包装 | |
| 无铅/环保 | 无铅/环保 |
| 电压(伏) | 1.35V |
| 温度规格 | -40 C~+95 C |
| 速度 | 1866 MBPS |
| 标准包装数量 | |
| 标准外箱 | |
| Number Of Words | 512M |
| Bit Organization | x8 |
| Density | 4G |
| Internal Banks | 8 Banks |
| Generation | 6th Generation |
| Power | Low VDD(1.35V) |
供应链有货
| IC 编号 | 数量 | 生产年份 | |
|---|---|---|---|
| K4B4G0846E-BMMA | 2,000 | 索取报价 | |
| K4B4G0846E-BMMATCV | 4,000 | 索取报价 | |
| K4B4G0846E-BMMA0CV | 47 | 索取报价 | |
| K4B4G0846E-BMMA0CV | 313 | 索取报价 | |
| K4B4G0846E-BMMA0CV | 2,853 | 索取报价 | |
| K4B4G0846E-BMMA000 | 983 | 索取报价 | |
| K4B4G0846E-BMMA0CV | 1,573 | 索取报价 | |
| K4B4G0846E-BMMA | 907 | 2020/31 | 索取报价 |
| K4B4G0846E-BMMA0CV | 1,816 | 20 | 索取报价 |
| K4B4G0846E-BMMA0CV | 1,816 | 索取报价 |
可替代IC编号
| IC 编号 | 脚位/封装 | 电压(伏) | 速度 | 温度规格 |
|---|---|---|---|---|
| MT41K512M8DA-107 AIT:P | FBGA-78 | 1.35V | 1866 MBPS | -40 C~+95 C |
FFFE/互通料号 (形式，腳位和功能对等)
| IC 编号 | 脚位/封装 | 电压(伏) | 速度 | 温度规格 |
|---|---|---|---|---|
| AS4C512M8D3LB-10BIN | FBGA-78 | 1.35V | 1866 MBPS | -40 C~+95 C |
| AS4C512M8D3LB-10BINTR | FBGA-78 | 1.35V | 1866 MBPS | -40 C~+95 C |
| H5TC4G83CFR-RDI | FBGA-78 | 1.35V | 1866 MBPS | -40 C~+95 C |
| H5TC4G83EFR-RDI | FBGA-78 | 1.35V | 1866 MBPS | -40 C~+95 C |
| K4B4G0846E-BMM0 | FBGA-78 | 1.35V | 1866 MBPS | -40 C~+95 C |
| MT41K512M8DA-107 AIT ES:P | FBGA-78 | 1.35V | 1866 MBPS | -40 C~+95 C |
| MT41K512M8DA-107 AIT:P TR | FBGA-78 | 1.35V | 1866 MBPS | -40 C~+95 C |
| MT41K512M8DA-107 AIT:R | FBGA-78 | 1.35V | 1866 MBPS | -40 C~+95 C |
| MT41K512M8DA-107 IT ES:P | FBGA-78 | 1.35V | 1866 MBPS | -40 C~+95 C |
| MT41K512M8DA-107 IT:P | FBGA-78 | 1.35V | 1866 MBPS | -40 C~+95 C |