圖片僅供參考
製造商IC編號 | K4B4G1646E-BMMA |
廠牌 | SAMSUNG/三星 |
IC 類別 | DDR3L SDRAM |
IC代碼 | 256MX16 DDR3L |
共通IC編號 | K4B4G1646E-BMMA00 |
K4B4G1646E-BMMA000 | |
K4B4G1646E-BMMA0CV | |
K4B4G1646E-BMMAT | |
K4B4G1646E-BMMATCV |
脚位/封装 | FBGA-96 |
外包裝 | TRAY |
無鉛/環保 | 無鉛/環保 |
電壓(伏) | 1.35V |
溫度規格 | -40 C~+95 C |
速度 | 1866 MBPS |
標準包裝數量 | 1120 |
標準外箱 | |
Number Of Words | 256M |
Bit Organization | x16 |
Density | 4G |
Internal Banks | 8 Banks |
Generation | 6th Generation |
Power | Low VDD(1.35V) |
IC 編號 | 數量 | 生產年份 | |
---|---|---|---|
K4B4G1646E-BMMA | 30,240 | 索取報價 | |
K4B4G1646E-BMMATCV | 50,000 | 23+ | 索取報價 |
K4B4G1646E-BMMA | 500 | 索取報價 | |
K4B4G1646E-BMMA | 3,692 | 索取報價 | |
K4B4G1646E-BMMATCV | 48,000 | 23+ | 索取報價 |
K4B4G1646E-BMMA | 18 | 22+ | 索取報價 |
K4B4G1646E-BMMATCV | 44,000 | 索取報價 | |
K4B4G1646E-BMMA0CV | 26,485 | 索取報價 | |
K4B4G1646E-BMMA | 30,000 | 索取報價 | |
K4B4G1646E-BMMATCV | 28,000 | 23+ | 索取報價 |
IC 編號 | 脚位/封装 | 電壓(伏) | 速度 | 溫度規格 |
---|---|---|---|---|
MT41K256M16TW-107 AIT:P | FBGA-96 | 1.35V | 1866 MBPS | -40 C~+95 C |
IC 編號 | 脚位/封装 | 電壓(伏) | 速度 | 溫度規格 |
---|---|---|---|---|
H5TC4G63CFR-RDI | FBGA-96 | 1.35V | 1866 MBPS | -40 C~+95 C |
H5TC4G63EFR-RDI | FBGA-96 | 1.35V | 1866 MBPS | -40 C~+95 C |
H5TC4G63EFR-RDIR | FBGA-96 | 1.35V | 1866 MBPS | -40 C~+95 C |
IS43TR16256AL-107MBLI-TR | BGA-96 | 1.35V/1.5V | 1866 MBPS | -40 C~+95 C |
IS43TR16256BL-107MBLI-BM | BGA-96 | 1.35V/1.5V | 1866 MBPS | -40 C~+95 C |
IS43TR16256BL-107MBLI-TR | BGA-96 | 1.35V/1.5V | 1866 MBPS | -40 C~+95 C |
K4B4G1646D-BMMA | FBGA-96 | 1.35V | 1866 MBPS | -40 C~+95 C |
K4B4G1646E-BMMA0CV SAM | FBGA-96 | 1.35V | 1866 MBPS | -40 C~+95 C |
MT41K256M16HA-107 AIT ES:E | FBGA-96 | 1.35V | 1866 MBPS | -40 C~+95 C |
MT41K256M16HA-107 AIT:E | FBGA-96 | 1.35V | 1866 MBPS | -40 C~+95 C |