K4E160812D-FL60

產品概述

IC Picture

圖片僅供參考

製造商IC編號 K4E160812D-FL60
廠牌 SAMSUNG/三星
IC 類別 DRAM
IC代碼 2MX8 EDO
共通IC編號 K4E160812D-FL60000

產品詳情

脚位/封装 TSOP-28
外包裝
無鉛/環保 含鉛
電壓(伏) 3.3 V
溫度規格 0 C~+85 C
速度 60 NS
標準包裝數量
標準外箱
Number Of Words 2M
Bit Organization x8
Density 16M
Power Low Power
Generation 5th Generation

供應鏈有貨

IC 編號 數量 生產年份
K4E160812D-FL60 4,000 索取報價
K4E160812D-FL60 8,001 4 索取報價
K4E160812D-FL60 8,001 04+ 索取報價
K4E160812D-FL60 1,213 索取報價
K4E160812D-FL60 1,200 索取報價
K4E160812D-FL60 1,000 索取報價
K4E160812D-FL60 1,000 索取報價
K4E160812D-FL60 8,001 2004+ 索取報價
K4E160812D-FL60 1,000 2007+ 索取報價
K4E160812D-FL60 800 2007+ 索取報價

FFFE/互通料號 (形式，腳位和功能對等)

IC 編號 脚位/封装 電壓(伏) 速度 溫度規格
K4E160812C-FC60 TSOP-28 3.3 V 60 NS 0 C~+85 C
K4E160812D-FC50/60 TSOP-28 3.3 V 60 NS 0 C~+85 C
K4E160812D-FC60 TSOP-28 3.3 V 60 NS 0 C~+85 C
K4E170812D-FC60 TSOP-28 3.3 V 60 NS 0 C~+85 C