K4E160812D-FL60

Produktübersicht

IC Picture

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Hersteller-Nummer	K4E160812D-FL60
Hersteller	SAMSUNG
Produktkategorie	DRAM
IC-Code	2MX8 EDO
Andere Bezeichnungen	K4E160812D-FL60000

Produktbeschreibung

Gehäuse	TSOP-28
Verpackung
RoHS	Leaded
Spannungsversorgung	3.3 V
Betriebstemperatur	0 C~+85 C
Geschwindigkeit	60 NS
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words	2M
Bit Organization	x8
Density	16M
Power	Low Power
Generation	5th Generation

Verfügbare Angebote

Teilenummer	Menge	Datecode
K4E160812D-FL60	4.000		Anfrage senden
K4E160812D-FL60	8.001	4	Anfrage senden
K4E160812D-FL60	8.001	04+	Anfrage senden
K4E160812D-FL60	1.213		Anfrage senden
K4E160812D-FL60	1.200		Anfrage senden
K4E160812D-FL60	1.000		Anfrage senden
K4E160812D-FL60	1.000		Anfrage senden
K4E160812D-FL60	8.001	2004+	Anfrage senden
K4E160812D-FL60	1.000	2007+	Anfrage senden
K4E160812D-FL60	800	2007+	Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer	Gehäuse	Spannungsversorgung	Geschwindigkeit	Betriebstemperatur
K4E160812C-FC60	TSOP-28	3.3 V	60 NS	0 C~+85 C
K4E160812D-FC50/60	TSOP-28	3.3 V	60 NS	0 C~+85 C
K4E160812D-FC60	TSOP-28	3.3 V	60 NS	0 C~+85 C
K4E170812D-FC60	TSOP-28	3.3 V	60 NS	0 C~+85 C