K4E160812D-FC50

Produktübersicht

IC Picture

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Hersteller-Nummer	K4E160812D-FC50
Hersteller	SAMSUNG
Produktkategorie	DRAM
IC-Code	2MX8 EDO
Andere Bezeichnungen	K4E160812D-FC50/60
	K4E160812D-FC5000
	K4E160812D-FC50000

Produktbeschreibung

Gehäuse	TSOP-28
Verpackung
RoHS	Leaded
Spannungsversorgung	3.3 V
Betriebstemperatur	0 C~+85 C
Geschwindigkeit	50 NS
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words	2M
Bit Organization	x8
Density	16M
Power	Normal Power
Generation	5th Generation

Verfügbare Angebote

Teilenummer	Menge	Datecode
K4E160812D-FC50	4.000		Anfrage senden
K4E160812D-FC50000	10.000	1999+	Anfrage senden
K4E160812D-FC50000	2.258	2005+	Anfrage senden
K4E160812D-FC50000	8.336	05+	Anfrage senden
K4E160812D-FC50	8.336	2005+	Anfrage senden
K4E160812D-FC50000	12.000		Anfrage senden
K4E160812D-FC50	450	2004+	Anfrage senden
K4E160812D-FC50	1.500	00+	Anfrage senden
K4E160812D-FC50	10.000	2003+	Anfrage senden
K4E160812D-FC50	600	04+	Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer	Gehäuse	Spannungsversorgung	Geschwindigkeit	Betriebstemperatur
K4E160812C-FC50	TSOP-28	3.3 V	50 NS	0 C~+85 C
K4E160812D-BC50T00	TSOP-28	3.3 V	50 NS	0 C~+85 C
K4E160812D-BC50T50	TSOP-28	3.3 V	50 NS	0 C~+85 C
K4E160812D-TC50T	TSOP-28	3.3 V	50 NS	0 C~+85 C