K4E160812D-TC50T

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Hersteller-Nummer K4E160812D-TC50T
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie DRAM
IC-Code 2MX8 EDO

Produktbeschreibung

Gehäuse TSOP-28
Verpackung
RoHS Leaded
Spannungsversorgung 3.3 V
Betriebstemperatur 0 C~+85 C
Geschwindigkeit 50 NS
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words 2M
Bit Organization x8
Density 16M
Power Normal Power
Generation 5th Generation

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K4E160812D-TC50T 40.000 00+ Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
K4E160812C-FC50 TSOP-28 3.3 V 50 NS 0 C~+85 C
K4E160812D-BC50T00 TSOP-28 3.3 V 50 NS 0 C~+85 C
K4E160812D-BC50T50 TSOP-28 3.3 V 50 NS 0 C~+85 C
K4E160812D-FC50 TSOP-28 3.3 V 50 NS 0 C~+85 C
K4E160812D-FC5000 TSOP-28 3.3 V 50 NS 0 C~+85 C
K4E160812D-FC50000 TSOP-28 3.3 V 50 NS 0 C~+85 C