K4E160812D-FC60

Produktübersicht

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Hersteller-Nummer K4E160812D-FC60
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie DRAM
IC-Code 2MX8 EDO
Andere Bezeichnungen K4E160812D-FC60T00

Produktbeschreibung

Gehäuse TSOP-28
Verpackung
RoHS Leaded
Spannungsversorgung 3.3 V
Betriebstemperatur 0 C~+85 C
Geschwindigkeit 60 NS
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words 2M
Bit Organization x8
Density 16M
Generation 5th Generation
Power Normal Power

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K4E160812D-FC60 6.500 Anfrage senden
K4E160812D-FC60 2.258 2005+ Anfrage senden
K4E160812D-FC60 8.336 05+ Anfrage senden
K4E160812D-FC60 8.336 2005+ Anfrage senden
K4E160812D-FC60 12.000 Anfrage senden
K4E160812D-FC60 10.000 2003+ Anfrage senden
K4E160812D-FC60 20.000 2003+ Anfrage senden
K4E160812D-FC60 17.900 2003+ Anfrage senden
K4E160812D-FC60 6.988 2003+ Anfrage senden
K4E160812D-FC60 15.000 2003+ Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
K4E160812C-FC60 TSOP-28 3.3 V 60 NS 0 C~+85 C
K4E160812D-FC50/60 TSOP-28 3.3 V 60 NS 0 C~+85 C
K4E160812D-FL60 TSOP-28 3.3 V 60 NS 0 C~+85 C
K4E170812D-FC60 TSOP-28 3.3 V 60 NS 0 C~+85 C