K4E641612DTL75

產品概述

IC Picture

圖片僅供參考

製造商IC編號 K4E641612DTL75
廠牌 SAMSUNG/三星
IC 類別 DRAM
IC代碼 4MX16 EDO

產品詳情

脚位/封装 TSOP2(50)
外包裝
無鉛/環保 含鉛
電壓(伏) 5.0 V
溫度規格 0 C~+85 C
速度 50 NS
標準包裝數量
標準外箱
Number Of Words 4M
Bit Organization x16
Density 64M
Power Low Power
Generation 5th Generation

供應鏈有貨

IC 編號 數量 生產年份
K4E641612DTL75 1,041 索取報價
K4E641612DTL75 1,007 索取報價
K4E641612DTL75 1,090 索取報價
K4E641612DTL75 1,029 索取報價

FFFE/互通料號 (形式，腳位和功能對等)

IC 編號 脚位/封装 電壓(伏) 速度 溫度規格
K4E641612-TC50 TSOP2(50) 5.0 V 50 NS 0 C~+85 C
K4E641612-TL50 TSOP2(50) 5.0 V 50 NS 0 C~+85 C
K4E6416120-TC50 TSOP2(50) 5.0 V 50 NS 0 C~+85 C
K4E6416120-TL50 TSOP2(50) 5.0 V 50 NS 0 C~+85 C
K4E6416124ETC50 TSOP2(50) 5.0 V 50 NS 0 C~+85 C
K4E641612B-TC50 TSOP2(50) 5.0 V 50 NS 0 C~+85 C
K4E641612B-TC50T00 TSOP2(50) 5.0 V 50 NS 0 C~+85 C
K4E641612B-TL50 TSOP2(50) 5.0 V 50 NS 0 C~+85 C
K4E641612C-TC5 TSOP2(50) 5.0 V 50 NS 0 C~+85 C
K4E641612C-TC50 TSOP2(50) 5.0 V 50 NS 0 C~+85 C