K4E641612DTL75

产品概述

IC Picture

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制造商IC编号 K4E641612DTL75
厂牌 SAMSUNG/三星
IC 类别 DRAM
IC代码 4MX16 EDO

产品详情

脚位/封装 TSOP2(50)
外包装
无铅/环保 含铅
电压(伏) 5.0 V
温度规格 0 C~+85 C
速度 50 NS
标准包装数量
标准外箱
Number Of Words 4M
Bit Organization x16
Density 64M
Power Low Power
Generation 5th Generation

供应链有货

IC 编号 数量 生产年份
K4E641612DTL75 1,041 索取报价
K4E641612DTL75 1,007 索取报价
K4E641612DTL75 1,090 索取报价
K4E641612DTL75 1,029 索取报价

FFFE/互通料号 (形式，腳位和功能对等)

IC 编号 脚位/封装 电压(伏) 速度 温度规格
K4E641612-TC50 TSOP2(50) 5.0 V 50 NS 0 C~+85 C
K4E641612-TL50 TSOP2(50) 5.0 V 50 NS 0 C~+85 C
K4E6416120-TC50 TSOP2(50) 5.0 V 50 NS 0 C~+85 C
K4E6416120-TL50 TSOP2(50) 5.0 V 50 NS 0 C~+85 C
K4E6416124ETC50 TSOP2(50) 5.0 V 50 NS 0 C~+85 C
K4E641612B-TC50 TSOP2(50) 5.0 V 50 NS 0 C~+85 C
K4E641612B-TC50T00 TSOP2(50) 5.0 V 50 NS 0 C~+85 C
K4E641612B-TL50 TSOP2(50) 5.0 V 50 NS 0 C~+85 C
K4E641612C-TC5 TSOP2(50) 5.0 V 50 NS 0 C~+85 C
K4E641612C-TC50 TSOP2(50) 5.0 V 50 NS 0 C~+85 C