K4E661612B-GL60

產品概述

IC Picture

圖片僅供參考

製造商IC編號	K4E661612B-GL60
廠牌	SAMSUNG/三星
IC 類別	DRAM
IC代碼	4MX16 EDO

產品詳情

脚位/封装	TSOP2(50)
外包裝
無鉛/環保	含鉛
電壓(伏)	5.0 V
溫度規格	-40 C~+85 C
速度	60 NS
標準包裝數量
標準外箱
Bit Organization	x16
Power	Low Power
Generation	3rd Generation

供應鏈有貨

IC 編號	數量	生產年份
K4E661612B-GL60	5,671		索取報價
K4E661612B-GL60	2,000	2000+	索取報價
K4E661612B-GL60	1,172		索取報價
K4E661612B-GL60	1,055	00+	索取報價
K4E661612B-GL60	1,172	00+	索取報價
K4E661612B-GL60	1,172	2000+	索取報價
K4E661612B-GL60	1,100		索取報價
K4E661612B-GL60	1,489	00+	索取報價
K4E661612B-GL60	1,012	2000+	索取報價
K4E661612B-GL60	2,262		索取報價

FFFE/互通料號 (形式，腳位和功能對等)

IC 編號	脚位/封装	電壓(伏)	速度	溫度規格
K4E641612C-TI60	TSOP2(50)	5.0 V	60 NS	-40 C~+85 C
K4E641612C-TP60	TSOP2(50)	5.0 V	60 NS	-40 C~+85 C
K4E641612C-TP60T00	TSOP2(50)	5.0 V	60 NS	-40 C~+85 C
K4E641612CD-TI60	TSOP2(50)	5.0 V	60 NS	-40 C~+85 C
K4E641612CE-TI60	TSOP2(50)	5.0 V	60 NS	-40 C~+85 C
K4E641612D-TI60	TSOP2(50)	5.0 V	60 NS	-40 C~+85 C
K4E641612D-TI60T	TSOP2(50)	5.0 V	60 NS	-40 C~+85 C
K4E641612D-TI60T00	TSOP2(50)	5.0 V	60 NS	-40 C~+85 C
K4E641612D-TP60T00	TSOP2(50)	5.0 V	60 NS	-40 C~+85 C
K4E641612DTCI60	TSOP2(50)	5.0 V	60 NS	-40 C~+85 C