K4E661612B-GL60

产品概述

IC Picture

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制造商IC编号	K4E661612B-GL60
厂牌	SAMSUNG/三星
IC 类别	DRAM
IC代码	4MX16 EDO

产品详情

脚位/封装	TSOP2(50)
外包装
无铅/环保	含铅
电压(伏)	5.0 V
温度规格	-40 C~+85 C
速度	60 NS
标准包装数量
标准外箱
Bit Organization	x16
Power	Low Power
Generation	3rd Generation

供应链有货

IC 编号	数量	生产年份
K4E661612B-GL60	5,671		索取报价
K4E661612B-GL60	2,000	2000+	索取报价
K4E661612B-GL60	1,172		索取报价
K4E661612B-GL60	1,055	00+	索取报价
K4E661612B-GL60	1,172	00+	索取报价
K4E661612B-GL60	1,172	2000+	索取报价
K4E661612B-GL60	1,100		索取报价
K4E661612B-GL60	1,489	00+	索取报价
K4E661612B-GL60	1,012	2000+	索取报价
K4E661612B-GL60	2,262		索取报价

FFFE/互通料号 (形式，腳位和功能对等)

IC 编号	脚位/封装	电压(伏)	速度	温度规格
K4E641612C-TI60	TSOP2(50)	5.0 V	60 NS	-40 C~+85 C
K4E641612C-TP60	TSOP2(50)	5.0 V	60 NS	-40 C~+85 C
K4E641612C-TP60T00	TSOP2(50)	5.0 V	60 NS	-40 C~+85 C
K4E641612CD-TI60	TSOP2(50)	5.0 V	60 NS	-40 C~+85 C
K4E641612CE-TI60	TSOP2(50)	5.0 V	60 NS	-40 C~+85 C
K4E641612D-TI60	TSOP2(50)	5.0 V	60 NS	-40 C~+85 C
K4E641612D-TI60T	TSOP2(50)	5.0 V	60 NS	-40 C~+85 C
K4E641612D-TI60T00	TSOP2(50)	5.0 V	60 NS	-40 C~+85 C
K4E641612D-TP60T00	TSOP2(50)	5.0 V	60 NS	-40 C~+85 C
K4E641612DTCI60	TSOP2(50)	5.0 V	60 NS	-40 C~+85 C