K4E641612DTCI60

产品概述

IC Picture

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制造商IC编号 K4E641612DTCI60
厂牌 SAMSUNG/三星
IC 类别 DRAM
IC代码 4MX16 EDO

产品详情

脚位/封装 TSOP2(50)
外包装
无铅/环保 含铅
电压(伏) 5.0 V
温度规格 -40 C~+85 C
速度 60 NS
标准包装数量
标准外箱
Number Of Words 4M
Bit Organization x16
Density 64M
Power Normal Power
Generation 5th Generation

供应链有货

IC 编号 数量 生产年份
K4E641612DTCI60 2,000 2005+ 索取报价
K4E641612DTCI60 2,000 05+ 索取报价

FFFE/互通料号 (形式，腳位和功能对等)

IC 编号 脚位/封装 电压(伏) 速度 温度规格
K4E641612C-TI60 TSOP2(50) 5.0 V 60 NS -40 C~+85 C
K4E641612C-TP60 TSOP2(50) 5.0 V 60 NS -40 C~+85 C
K4E641612C-TP60T00 TSOP2(50) 5.0 V 60 NS -40 C~+85 C
K4E641612CD-TI60 TSOP2(50) 5.0 V 60 NS -40 C~+85 C
K4E641612CE-TI60 TSOP2(50) 5.0 V 60 NS -40 C~+85 C
K4E641612D-TI60 TSOP2(50) 5.0 V 60 NS -40 C~+85 C
K4E641612D-TI60T TSOP2(50) 5.0 V 60 NS -40 C~+85 C
K4E641612D-TI60T00 TSOP2(50) 5.0 V 60 NS -40 C~+85 C
K4E641612D-TP60T00 TSOP2(50) 5.0 V 60 NS -40 C~+85 C
K4E641612E-TI60000 TSOP2(50) 5.0 V 60 NS -40 C~+85 C