K4E641612DTCI60

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Hersteller-Nummer K4E641612DTCI60
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie DRAM
IC-Code 4MX16 EDO

Produktbeschreibung

Gehäuse TSOP2(50)
Verpackung
RoHS Leaded
Spannungsversorgung 5.0 V
Betriebstemperatur -40 C~+85 C
Geschwindigkeit 60 NS
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words 4M
Bit Organization x16
Density 64M
Power Normal Power
Generation 5th Generation

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K4E641612DTCI60 2.000 2005+ Anfrage senden
K4E641612DTCI60 2.000 05+ Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
K4E641612C-TI60 TSOP2(50) 5.0 V 60 NS -40 C~+85 C
K4E641612C-TP60 TSOP2(50) 5.0 V 60 NS -40 C~+85 C
K4E641612C-TP60T00 TSOP2(50) 5.0 V 60 NS -40 C~+85 C
K4E641612CD-TI60 TSOP2(50) 5.0 V 60 NS -40 C~+85 C
K4E641612CE-TI60 TSOP2(50) 5.0 V 60 NS -40 C~+85 C
K4E641612D-TI60 TSOP2(50) 5.0 V 60 NS -40 C~+85 C
K4E641612D-TI60T TSOP2(50) 5.0 V 60 NS -40 C~+85 C
K4E641612D-TI60T00 TSOP2(50) 5.0 V 60 NS -40 C~+85 C
K4E641612D-TP60T00 TSOP2(50) 5.0 V 60 NS -40 C~+85 C
K4E641612E-TI60000 TSOP2(50) 5.0 V 60 NS -40 C~+85 C