K4E641612D-TI60

Produktübersicht

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Hersteller-Nummer	K4E641612D-TI60
Hersteller	SAMSUNG
Produktkategorie	DRAM
IC-Code	4MX16 EDO
Andere Bezeichnungen	K4E641612D-TI60T
	K4E641612D-TI60T00

Produktbeschreibung

Gehäuse	TSOP2(50)
Verpackung
RoHS	Leaded
Spannungsversorgung	5.0 V
Betriebstemperatur	-40 C~+85 C
Geschwindigkeit	60 NS
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words	4M
Bit Organization	x16
Density	64M
Power	Normal Power
Generation	5th Generation

Verfügbare Angebote

Teilenummer	Menge	Datecode
K4E641612D-TI60	4.000		Anfrage senden
K4E641612D-TI60	4.000		Anfrage senden
K4E641612D-TI60	3.500	2009+	Anfrage senden
K4E641612D-TI60	12.000		Anfrage senden
K4E641612D-TI60	10.000	2003+	Anfrage senden
K4E641612D-TI60	20.000	2003+	Anfrage senden
K4E641612D-TI60	18.209	2003+	Anfrage senden
K4E641612D-TI60	2.000	2005+	Anfrage senden
K4E641612D-TI60	3.000	2003+	Anfrage senden
K4E641612D-TI60	15.000	2003+	Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer	Gehäuse	Spannungsversorgung	Geschwindigkeit	Betriebstemperatur
K4E641612C-TI60	TSOP2(50)	5.0 V	60 NS	-40 C~+85 C
K4E641612C-TP60	TSOP2(50)	5.0 V	60 NS	-40 C~+85 C
K4E641612C-TP60T00	TSOP2(50)	5.0 V	60 NS	-40 C~+85 C
K4E641612CD-TI60	TSOP2(50)	5.0 V	60 NS	-40 C~+85 C
K4E641612CE-TI60	TSOP2(50)	5.0 V	60 NS	-40 C~+85 C
K4E641612D-TP60T00	TSOP2(50)	5.0 V	60 NS	-40 C~+85 C
K4E641612DTCI60	TSOP2(50)	5.0 V	60 NS	-40 C~+85 C
K4E641612E-TI60000	TSOP2(50)	5.0 V	60 NS	-40 C~+85 C
K4E641612E-TI60T00	TSOP2(50)	5.0 V	60 NS	-40 C~+85 C
K4E641612E-TP6	TSOP2(50)	5.0 V	60 NS	-40 C~+85 C