K4E641612E-TP6

Produktübersicht

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Hersteller-Nummer K4E641612E-TP6
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie DRAM
IC-Code 4MX16 EDO
Andere Bezeichnungen K4E641612E-TP60000
K4E641612E-TP60T00
K4E641612ETP60

Produktbeschreibung

Gehäuse TSOP2(50)
Verpackung
RoHS Leaded
Spannungsversorgung 5.0 V
Betriebstemperatur -40 C~+85 C
Geschwindigkeit 60 NS
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words 4M
Bit Organization x16
Density 64M
Power Low Power
Generation 6th Generation

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K4E641612ETP60 4.000 Anfrage senden
K4E641612ETP60 12.000 Anfrage senden
K4E641612ETP60 10.000 2003+ Anfrage senden
K4E641612ETP60 20.000 2003+ Anfrage senden
K4E641612ETP60 900 2004+ Anfrage senden
K4E641612ETP60 17.630 2003+ Anfrage senden
K4E641612ETP60 9.000 2003+ Anfrage senden
K4E641612ETP60 14.850 03+ Anfrage senden
K4E641612ETP60 148 Anfrage senden
K4E641612E-TP60000 2.864 Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
K4E641612C-TI60 TSOP2(50) 5.0 V 60 NS -40 C~+85 C
K4E641612C-TP60 TSOP2(50) 5.0 V 60 NS -40 C~+85 C
K4E641612C-TP60T00 TSOP2(50) 5.0 V 60 NS -40 C~+85 C
K4E641612CD-TI60 TSOP2(50) 5.0 V 60 NS -40 C~+85 C
K4E641612CE-TI60 TSOP2(50) 5.0 V 60 NS -40 C~+85 C
K4E641612D-TI60 TSOP2(50) 5.0 V 60 NS -40 C~+85 C
K4E641612D-TI60T TSOP2(50) 5.0 V 60 NS -40 C~+85 C
K4E641612D-TI60T00 TSOP2(50) 5.0 V 60 NS -40 C~+85 C
K4E641612D-TP60T00 TSOP2(50) 5.0 V 60 NS -40 C~+85 C
K4E641612DTCI60 TSOP2(50) 5.0 V 60 NS -40 C~+85 C