K4E641612E-TP6

产品概述

IC Picture

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制造商IC编号 K4E641612E-TP6
厂牌 SAMSUNG/三星
IC 类别 DRAM
IC代码 4MX16 EDO
共通IC编号 K4E641612E-TP60000
K4E641612E-TP60T00
K4E641612ETP60

产品详情

脚位/封装 TSOP2(50)
外包装
无铅/环保 含铅
电压(伏) 5.0 V
温度规格 -40 C~+85 C
速度 60 NS
标准包装数量
标准外箱
Number Of Words 4M
Bit Organization x16
Density 64M
Power Low Power
Generation 6th Generation

供应链有货

IC 编号 数量 生产年份
K4E641612ETP60 4,000 索取报价
K4E641612ETP60 12,000 索取报价
K4E641612ETP60 10,000 2003+ 索取报价
K4E641612ETP60 20,000 2003+ 索取报价
K4E641612ETP60 900 2004+ 索取报价
K4E641612ETP60 17,630 2003+ 索取报价
K4E641612ETP60 9,000 2003+ 索取报价
K4E641612ETP60 14,850 03+ 索取报价
K4E641612ETP60 148 索取报价
K4E641612E-TP60000 2,864 索取报价

FFFE/互通料号 (形式,腳位和功能对等)

IC 编号 脚位/封装 电压(伏) 速度 温度规格
K4E641612C-TI60 TSOP2(50) 5.0 V 60 NS -40 C~+85 C
K4E641612C-TP60 TSOP2(50) 5.0 V 60 NS -40 C~+85 C
K4E641612C-TP60T00 TSOP2(50) 5.0 V 60 NS -40 C~+85 C
K4E641612CD-TI60 TSOP2(50) 5.0 V 60 NS -40 C~+85 C
K4E641612CE-TI60 TSOP2(50) 5.0 V 60 NS -40 C~+85 C
K4E641612D-TI60 TSOP2(50) 5.0 V 60 NS -40 C~+85 C
K4E641612D-TI60T TSOP2(50) 5.0 V 60 NS -40 C~+85 C
K4E641612D-TI60T00 TSOP2(50) 5.0 V 60 NS -40 C~+85 C
K4E641612D-TP60T00 TSOP2(50) 5.0 V 60 NS -40 C~+85 C
K4E641612DTCI60 TSOP2(50) 5.0 V 60 NS -40 C~+85 C