K4E641612E-TP6

產品概述

IC Picture

圖片僅供參考

製造商IC編號 K4E641612E-TP6
廠牌 SAMSUNG/三星
IC 類別 DRAM
IC代碼 4MX16 EDO
共通IC編號 K4E641612E-TP60000
K4E641612E-TP60T00
K4E641612ETP60

產品詳情

脚位/封装 TSOP2(50)
外包裝
無鉛/環保 含鉛
電壓(伏) 5.0 V
溫度規格 -40 C~+85 C
速度 60 NS
標準包裝數量
標準外箱
Number Of Words 4M
Bit Organization x16
Density 64M
Power Low Power
Generation 6th Generation

供應鏈有貨

IC 編號 數量 生產年份
K4E641612ETP60 4,000 索取報價
K4E641612ETP60 12,000 索取報價
K4E641612ETP60 10,000 2003+ 索取報價
K4E641612ETP60 20,000 2003+ 索取報價
K4E641612ETP60 900 2004+ 索取報價
K4E641612ETP60 17,630 2003+ 索取報價
K4E641612ETP60 9,000 2003+ 索取報價
K4E641612ETP60 14,850 03+ 索取報價
K4E641612ETP60 148 索取報價
K4E641612E-TP60000 2,864 索取報價

FFFE/互通料號 (形式,腳位和功能對等)

IC 編號 脚位/封装 電壓(伏) 速度 溫度規格
K4E641612C-TI60 TSOP2(50) 5.0 V 60 NS -40 C~+85 C
K4E641612C-TP60 TSOP2(50) 5.0 V 60 NS -40 C~+85 C
K4E641612C-TP60T00 TSOP2(50) 5.0 V 60 NS -40 C~+85 C
K4E641612CD-TI60 TSOP2(50) 5.0 V 60 NS -40 C~+85 C
K4E641612CE-TI60 TSOP2(50) 5.0 V 60 NS -40 C~+85 C
K4E641612D-TI60 TSOP2(50) 5.0 V 60 NS -40 C~+85 C
K4E641612D-TI60T TSOP2(50) 5.0 V 60 NS -40 C~+85 C
K4E641612D-TI60T00 TSOP2(50) 5.0 V 60 NS -40 C~+85 C
K4E641612D-TP60T00 TSOP2(50) 5.0 V 60 NS -40 C~+85 C
K4E641612DTCI60 TSOP2(50) 5.0 V 60 NS -40 C~+85 C