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製造商IC編號 | K4H510838JBPB0 |
廠牌 | SAMSUNG/三星 |
IC 類別 | DDR1 SDRAM |
IC代碼 | 64MX8 DDR1 |
脚位/封装 | TSOP2(66) |
外包裝 | TRAY |
無鉛/環保 | 含鉛 |
電壓(伏) | 2.5 V |
溫度規格 | -40 C~+85 C |
速度 | 166 MHZ |
標準包裝數量 | |
標準外箱 | |
Number Of Words | 64M |
Bit Organization | x8 |
Density | 512M |
Internal Banks | 4 Banks |
Generation | 11th Generation |
Power | Low Power |
IC 編號 | 數量 | 生產年份 | |
---|---|---|---|
K4H510838JBPB0 | 4,000 | 索取報價 |
IC 編號 | 脚位/封装 | 電壓(伏) | 速度 | 溫度規格 |
---|---|---|---|---|
EDD5108AGTA-6BLI-E | TSOP2(66) | 2.5 V | 166 MHZ | -40 C~+85 C |
IS43R86400D-6TI | TSOP2(66) | 2.5 V | 166 MHZ | -40 C~+85 C |
IS43R86400D-6TLA1 | TSOP2(66) | 2.5 V | 166 MHZ | -40 C~+85 C |
IS43R86400D-6TLI | TSOP2(66) | 2.5 V | 166 MHZ | -40 C~+85 C |
IS43R86400E-6TI | TSOP2(66) | 2.5 V | 166 MHZ | -40 C~+85 C |
IS43R86400E-6TLA1 | TSOP2(66) | 2.5 V | 166 MHZ | -40 C~+85 C |
IS43R86400E-6TLI | TSOP2(66) | 2.5 V | 166 MHZ | -40 C~+85 C |
IS43R86400F-6TI | TSOP2(66) | 2.5 V | 166 MHZ | -40 C~+85 C |
IS43R86400F-6TLA1 | TSOP2(66) | 2.5 V | 166 MHZ | -40 C~+85 C |
IS43R86400F-6TLI | TSOP2(66) | 2.5 V | 166 MHZ | -40 C~+85 C |