K4H511638B-TCCC

產品概述

IC Picture

圖片僅供參考

製造商IC編號 K4H511638B-TCCC
廠牌 SAMSUNG/三星
IC 類別 DDR1 SDRAM
IC代碼 32MX16 DDR1

產品詳情

脚位/封装 TSOP2(66)
外包裝
無鉛/環保 含鉛
電壓(伏) 2.5 V
溫度規格 0 C~+85 C
速度 200 MHZ
標準包裝數量
標準外箱
Number Of Words 32M
Bit Organization x16
Density 512M
Internal Banks 4 Banks
Generation 3rd Generation
Power Normal Power

供應鏈有貨

IC 編號 數量 生產年份
K4H511638B-TCCC 1,478 2007+ 索取報價

FFFE/互通料號 (形式,腳位和功能對等)

IC 編號 脚位/封装 電壓(伏) 速度 溫度規格
K4H511638G-LCCCTR TSOP2(66) 2.5 V 200 MHZ 0 C~+85 C
K4H511638G-LCCCY TSOP2(66) 2.5 V 200 MHZ 0 C~+85 C
K4H511638GLCCCT TSOP2(66) 2.5 V 200 MHZ 0 C~+85 C
K4H511638H-UCCCT00 TSOP2(66) 2.5 V 200 MHZ 0 C~+85 C
K4H511638J-LCC TSOP2(66) 2.5 V 200 MHZ 0 C~+85 C
K4H511638J-LCCC TSOP2(66) 2.5 V 200 MHZ 0 C~+85 C
K4H511638J-LCCC000 TSOP2(66) 2.5 V 200 MHZ 0 C~+85 C
K4H511638J-LCCC0000 TSOP2(66) 2.5 V 200 MHZ 0 C~+85 C
K4H511638J-LCCC: TSOP2(66) 2.5 V 200 MHZ 0 C~+85 C
K4H511638J-LCCCT TSOP2(66) 2.5 V 200 MHZ 0 C~+85 C