K4H561638H-UPB3
產品概述
圖片僅供參考
| 製造商IC編號 | K4H561638H-UPB3 |
| 廠牌 | SAMSUNG/三星 |
| IC 類別 | DDR1 SDRAM |
| IC代碼 | 16MX16 DDR1 |
產品詳情
| 脚位/封装 | TSOP2(66) |
| 外包裝 | |
| 無鉛/環保 | 含鉛 |
| 電壓(伏) | 2.5 V |
| 溫度規格 | -40 C~+85 C |
| 速度 | 166 MHZ |
| 標準包裝數量 | |
| 標準外箱 | |
| Number Of Words | 16M |
| Bit Organization | x16 |
| Density | 256M |
| Internal Banks | 4 Banks |
| Power | Low Power |
| Generation | 9th Generation |
FFFE/互通料號 (形式，腳位和功能對等)
| IC 編號 | 脚位/封装 | 電壓(伏) | 速度 | 溫度規格 |
|---|---|---|---|---|
| EDD2516AETA-6BTI-E | TSOP2(66) | 2.5 V | 166 MHZ | -40 C~+85 C |
| EDD2516AKTA-6B-LI | TSOP2(66) | 2.5 V | 166 MHZ | -40 C~+85 C |
| EDD2516AKTA-6BTI | TSOP2(66) | 2.5 V | 166 MHZ | -40 C~+85 C |
| EDD2516AKTA-6BTI-E | TSOP2(66) | 2.5 V | 166 MHZ | -40 C~+85 C |
| EDD2516AKTA6BLIE | TSOP2(66) | 2.5 V | 166 MHZ | -40 C~+85 C |
| EDD2516KCTA-6BSI-E | TSOP2(66) | 2.5 V | 166 MHZ | -40 C~+85 C |
| H5DU2562GTR-J3I | TSOP2(66) | 2.5 V | 166 MHZ | -40 C~+85 C |
| H5DU2562GTR-J3IR | TSOP2(66) | 2.5 V | 166 MHZ | -40 C~+85 C |
| IS43R16160B-6TLI | TSOP2(66) | 2.5 V | 166 MHZ | -40 C~+85 C |
| IS43R16160D-6TLA1 | TSOP2(66) | 2.5 V | 166 MHZ | -40 C~+85 C |