K4T1G164QE-HCF7

產品概述

IC Picture

圖片僅供參考

製造商IC編號 K4T1G164QE-HCF7
廠牌 SAMSUNG/三星
IC 類別 DDR2 SDRAM
IC代碼 64MX16 DDR2
共通IC編號 K4T1G164QE-HCF7000
K4T1G164QE-HCF7T00
K4T1G164QE-HCF7T000
K4T1G164QEHCF70
K4T1G164QEHCF7T

產品詳情

脚位/封装 FBGA-84
外包裝 TRAY
無鉛/環保 無鉛/環保
電壓(伏) 1.8 V
溫度規格 0 C~+85 C
速度 800 MBPS
標準包裝數量 1280
標準外箱
Number Of Words 64M
Bit Organization x16
Density 1G
Internal Banks 8 Banks
Generation 6th Generation
Power Normal Power

供應鏈有貨

IC 編號 數量 生產年份
K4T1G164QE-HCF7 516 2013+ 索取報價
K4T1G164QEHCF70 3,840 10+ 索取報價
K4T1G164QE-HCF7 4,000 索取報價
K4T1G164QE-HCF7 130 索取報價
K4T1G164QE-HCF7 1,339 1110+ 索取報價
K4T1G164QE-HCF7 2,640 1019+ 索取報價
K4T1G164QE-HCF7 139 1134+ 索取報價
K4T1G164QE-HCF7 4 201007 索取報價
K4T1G164QE-HCF7 12,500 索取報價
K4T1G164QE-HCF7 11,350 16+ 索取報價

FFFE/互通料號 (形式,腳位和功能對等)

IC 編號 脚位/封装 電壓(伏) 速度 溫度規格
HYB18T1G160C2FL-2.5 TFBGA-84 1.8 V 800 MBPS 0 C~+85 C
HYB18T1G160C4F-2.5 TFBGA-84 1.8 V 800 MBPS 0 C~+85 C
HYB18T1G160CFL-2.5 TFBGA-84 1.8 V 800 MBPS 0 C~+85 C
HYB18TC1G160AF-5 FBGA-84 1.8 V 800 MBPS 0 C~+85 C
HYB18TC1G160BF-2.5 FBGA-84 1.8 V 800 MBPS 0 C~+85 C
HYB18TC1G160BF-5 FBGA-84 1.8 V 800 MBPS 0 C~+85 C
HYB18TC1G160C2F-2.5 FBGA-84 1.8 V 800 MBPS 0 C~+85 C
HYB18TC1G160C2F-25F FBGA-84 1.8 V 800 MBPS 0 C~+85 C
HYB18TC1G160CF-2.5 FBGA-84 1.8 V 800 MBPS 0 C~+85 C
HYB18TC1G160CF-5 FBGA-84 1.8 V 800 MBPS 0 C~+85 C