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製造商IC編號 | K4T1G164QJ-BCE7 |
廠牌 | SAMSUNG/三星 |
IC 類別 | DDR2 SDRAM |
IC代碼 | 64MX16 DDR2 |
共通IC編號 | K4T1G164QJ-BCE7000 |
K4T1G164QJ-BCE70CV | |
K4T1G164QJ-BCE7T | |
K4T1G164QJ-BCE7T00 | |
K4T1G164QJ-BCE7TCV |
脚位/封装 | FBGA-84 |
外包裝 | TRAY |
無鉛/環保 | 無鉛/環保 |
電壓(伏) | 1.8 V |
溫度規格 | 0 C~+95 C |
速度 | 800 MBPS |
標準包裝數量 | 1280 |
標準外箱 | |
Number Of Words | 64M |
Bit Organization | x16 |
Density | 1G |
Internal Banks | 8 Banks |
Generation | 11th Generation |
Power | Normal Power |
IC 編號 | 數量 | 生產年份 | |
---|---|---|---|
K4T1G164QJ-BCE7000 | 50,000 | 1630+ | 索取報價 |
K4T1G164QJ-BCE7000 | 56,155 | 16+ | 索取報價 |
K4T1G164QJ-BCE7000 | 10,240 | 16+ | 索取報價 |
K4T1G164QJ-BCE7000 | 16,586 | 索取報價 | |
K4T1G164QJ-BCE7 | 34,500 | 索取報價 | |
K4T1G164QJ-BCE7000 | 57,435 | 索取報價 | |
K4T1G164QJ-BCE7 | 64,000 | 16+ | 索取報價 |
K4T1G164QJ-BCE7 | 20,000 | 2017 | 索取報價 |
K4T1G164QJ-BCE7000 | 36,948 | 2017 | 索取報價 |
K4T1G164QJ-BCE7 | 10,000 | DC16 | 索取報價 |
IC 編號 | 脚位/封装 | 電壓(伏) | 速度 | 溫度規格 |
---|---|---|---|---|
IS46DR16640B-3DBLA2 | FBGA-84 | 1.8 V | 667 MBPS | -40 C~+105 C |
K4T1G164QJ-BCE70AC | FBGA-84 | 1.8 V | 800 MBPS | 0 C~+85 C |
IC 編號 | 脚位/封装 | 電壓(伏) | 速度 | 溫度規格 |
---|---|---|---|---|
A3R1GE40JBF-8E | FBGA-84 | 1.8 V | 800 MBPS | 0 C~+95 C |
A3R1GE40JBF-8ER | FBGA-84 | 1.8 V | 800 MBPS | 0 C~+95 C |
AS4C64M16D2-25BCN (XXPART) | FBGA-84 | 1.8 V | 800 MBPS | 0 C~+95 C |
AS4C64M16D2-25BCNTR | FBGA-84 | 1.8 V | 800 MBPS | 0 C~+95 C |
AS4C64M16D2A-25BCN | FBGA-84 | 1.8 V | 800 MBPS | 0 C~+95 C |
AS4C64M16D2A-25BCNTR | FBGA-84 | 1.8 V | 800 MBPS | 0 C~+95 C |
AS4C64M16D2B-25BCN | FBGA-84 | 1.8 V | 800 MBPS | 0 C~+95 C |
AS4C64M16D2B-25BCNTR | FBGA-84 | 1.8 V | 800 MBPS | 0 C~+95 C |
EDE1116ABSE-8E-E | FBGA-84 | 1.8 V | 800 MBPS | 0 C~+95 C |
EDE1116ACBG-8E-E | FBGA-84 | 1.8 V | 800 MBPS | 0 C~+95 C |