K4T2G084QA-HCE6

產品概述

IC Picture

圖片僅供參考

製造商IC編號	K4T2G084QA-HCE6
廠牌	SAMSUNG/三星
IC 類別	DDR2 SDRAM
IC代碼	256MX8 DDR2

產品詳情

脚位/封装	FBGA-68
外包裝
無鉛/環保	無鉛/環保
電壓(伏)	1.8 V
溫度規格	0 C~+85 C
速度	667 MBPS
標準包裝數量
標準外箱
Number Of Words	256M
Bit Organization	x8
Density	2G
Internal Banks	8 Banks
Generation	2nd Generation
Power	Normal Power

供應鏈有貨

IC 編號	數量	生產年份
K4T2G084QA-HCE6	5,500		索取報價
K4T2G084QA-HCE6	12,500		索取報價
K4T2G084QA-HCE6	5,000	2010+	索取報價
K4T2G084QA-HCE6	2,000	2009+	索取報價
K4T2G084QA-HCE6	10,000		索取報價
K4T2G084QA-HCE6	2,568	2007+	索取報價
K4T2G084QA-HCE6	2,547		索取報價
K4T2G084QA-HCE6	80,000		索取報價

FFFE/互通料號 (形式，腳位和功能對等)

IC 編號	脚位/封装	電壓(伏)	速度	溫度規格
K4T2G084QA-HLE6	FBGA-68	1.8 V	667 MBPS	0 C~+85 C
K4T2G084QA-JCE6	FBGA-68	1.8 V	667 MBPS	0 C~+85 C
K4T2G084QA-ZCE6	FBGA-68	1.8 V	667 MBPS	0 C~+85 C
K4T2G084QAHYE6	FBGA-68	1.8 V	667 MBPS	0 C~+85 C
K4T2G084QM-ZCE6	FBGA-68	1.8 V	667 MBPS	0 C~+85 C