K4T2G084QA-HCE6

产品概述

IC Picture

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制造商IC编号	K4T2G084QA-HCE6
厂牌	SAMSUNG/三星
IC 类别	DDR2 SDRAM
IC代码	256MX8 DDR2

产品详情

脚位/封装	FBGA-68
外包装
无铅/环保	无铅/环保
电压(伏)	1.8 V
温度规格	0 C~+85 C
速度	667 MBPS
标准包装数量
标准外箱
Number Of Words	256M
Bit Organization	x8
Density	2G
Internal Banks	8 Banks
Generation	2nd Generation
Power	Normal Power

供应链有货

IC 编号	数量	生产年份
K4T2G084QA-HCE6	5,500		索取报价
K4T2G084QA-HCE6	12,500		索取报价
K4T2G084QA-HCE6	5,000	2010+	索取报价
K4T2G084QA-HCE6	2,000	2009+	索取报价
K4T2G084QA-HCE6	10,000		索取报价
K4T2G084QA-HCE6	2,568	2007+	索取报价
K4T2G084QA-HCE6	2,547		索取报价
K4T2G084QA-HCE6	80,000		索取报价

FFFE/互通料号 (形式，腳位和功能对等)

IC 编号	脚位/封装	电压(伏)	速度	温度规格
K4T2G084QA-HLE6	FBGA-68	1.8 V	667 MBPS	0 C~+85 C
K4T2G084QA-JCE6	FBGA-68	1.8 V	667 MBPS	0 C~+85 C
K4T2G084QA-ZCE6	FBGA-68	1.8 V	667 MBPS	0 C~+85 C
K4T2G084QAHYE6	FBGA-68	1.8 V	667 MBPS	0 C~+85 C
K4T2G084QM-ZCE6	FBGA-68	1.8 V	667 MBPS	0 C~+85 C