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制造商IC编号 | K4T2G084QA-HLE6 |
厂牌 | SAMSUNG/三星 |
IC 类别 | DDR2 SDRAM |
IC代码 | 256MX8 DDR2 |
脚位/封装 | FBGA-68 |
外包装 | |
无铅/环保 | 无铅/环保 |
电压(伏) | 1.8 V |
温度规格 | 0 C~+85 C |
速度 | 667 MBPS |
标准包装数量 | |
标准外箱 | |
Number Of Words | 256M |
Bit Organization | x8 |
Density | 2G |
Internal Banks | 8 Banks |
Generation | 2nd Generation |
Power | Low Power |
IC 编号 | 数量 | 生产年份 | |
---|---|---|---|
K4T2G084QA-HLE6 | 2,000 | 2009+ | 索取报价 |
IC 编号 | 脚位/封装 | 电压(伏) | 速度 | 温度规格 |
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K4T2G084QA-HCE6 | FBGA-68 | 1.8 V | 667 MBPS | 0 C~+85 C |
K4T2G084QA-JCE6 | FBGA-68 | 1.8 V | 667 MBPS | 0 C~+85 C |
K4T2G084QA-ZCE6 | FBGA-68 | 1.8 V | 667 MBPS | 0 C~+85 C |
K4T2G084QAHYE6 | FBGA-68 | 1.8 V | 667 MBPS | 0 C~+85 C |
K4T2G084QM-ZCE6 | FBGA-68 | 1.8 V | 667 MBPS | 0 C~+85 C |