K4T51163QI-HCE7

產品概述

IC Picture

圖片僅供參考

製造商IC編號 K4T51163QI-HCE7
廠牌 SAMSUNG/三星
IC 類別 DDR2 SDRAM
IC代碼 32MX16 DDR2
共通IC編號 K4T51163QI-HCE700
K4T51163QI-HCE7000
K4T51163QI-HCE7T
K4T51163QI-HCE7T00
K4T51163QIHCE70

產品詳情

脚位/封装 FBGA-84
外包裝
無鉛/環保 無鉛/環保
電壓(伏) 1.8 V
溫度規格 0 C~+85 C
速度 800 MBPS
標準包裝數量
標準外箱
Number Of Words 32M
Bit Organization x16
Density 512M
Internal Banks 4 Banks
Generation 10th Generation
Power Normal Power

供應鏈有貨

IC 編號 數量 生產年份
K4T51163QI-HCE7 336 1037+ 索取報價
K4T51163QI-HCE7 386 索取報價
K4T51163QI-HCE7 2,363 1137+ 索取報價
K4T51163QI-HCE7 1,849 1037+ 索取報價
K4T51163QI-HCE7 963 12+ 索取報價
K4T51163QI-HCE7 904 1028+ 索取報價
K4T51163QI-HCE7 670 1043+ 索取報價
K4T51163QI-HCE7 3,652 索取報價
K4T51163QI-HCE7T 1,405 索取報價
K4T51163QI-HCE7 895 2014+ 索取報價

FFFE/互通料號 (形式,腳位和功能對等)

IC 編號 脚位/封装 電壓(伏) 速度 溫度規格
H5PS5162KFR-S6C/RB FBGA-84 1.8 V 800 MBPS 0 C~+85 C
H5PS5162KFR-S6CR FBGA-84 1.8 V 800 MBPS 0 C~+85 C
HXB18T512160BF(L)-25D TFBGA-84 1.8V 800 MBPS 0 C~+85 C
HXB18T512160BF(L)-25E TFBGA-84 1.8V 800 MBPS 0 C~+85 C
HY5PS121621AF-E3 FBGA-84 1.8 V 800 MBPS 0 C~+85 C
HY5PS121621AF-S5 FBGA-84 1.8 V 800 MBPS 0 C~+85 C
HY5PS121621AF-S6 FBGA-84 1.8 V 800 MBPS 0 C~+85 C
HY5PS121621AFP-E3 FBGA-84 1.8 V 800 MBPS 0 C~+85 C
HY5PS121621AFP-S5 FBGA-84 1.8 V 800 MBPS 0 C~+85 C
HY5PS121621AFP-S6 FBGA-84 1.8 V 800 MBPS 0 C~+85 C