K4T51163QN-BCE7
產品概述
圖片僅供參考
| 製造商IC編號 | K4T51163QN-BCE7 |
| 廠牌 | SAMSUNG/三星 |
| IC 類別 | DDR2 SDRAM |
| IC代碼 | 32MX16 DDR2 |
| 共通IC編號 | K4T51163QN-BCE70 |
| K4T51163QN-BCE7000 | |
| K4T51163QN-BCE70CV | |
| K4T51163QN-BCE7T | |
| K4T51163QN-BCE7T00 | |
| K4T51163QN-BCE7TCV |
產品詳情
| 脚位/封装 | FBGA-84 |
| 外包裝 | TRAY |
| 無鉛/環保 | 無鉛/環保 |
| 電壓(伏) | 1.8 V |
| 溫度規格 | 0 C~+95 C |
| 速度 | 800 MBPS |
| 標準包裝數量 | 1280 |
| 標準外箱 | |
| Number Of Words | 32M |
| Bit Organization | x16 |
| Density | 512M |
| Internal Banks | 4 Banks |
| Generation | 14th Generation |
| Power | Normal Power |
供應鏈有貨
| IC 編號 | 數量 | 生產年份 | |
|---|---|---|---|
| K4T51163QN-BCE7000 | 30,867 | 索取報價 | |
| K4T51163QN-BCE7 | 100,000+ | 索取報價 | |
| K4T51163QN-BCE7 | 10,500 | 索取報價 | |
| K4T51163QN-BCE7000 | 19,220 | 2017/2016 | 索取報價 |
| K4T51163QN-BCE7000 | 10,529 | 2016 | 索取報價 |
| K4T51163QN-BCE7000 | 14,080 | 16+ | 索取報價 |
| K4T51163QN-BCE7000 | 19 | 索取報價 | |
| K4T51163QN-BCE70 | 10,579 | 索取報價 | |
| K4T51163QN-BCE7000 | 100,000+ | 索取報價 |
可替代IC編號
| IC 編號 | 脚位/封装 | 電壓(伏) | 速度 | 溫度規格 |
|---|---|---|---|---|
| K4T51163QQ-BPE70CV | FBGA-84 | 1.8 V | 800 MBPS | -40 C~+85 C |
FFFE/互通料號 (形式，腳位和功能對等)
| IC 編號 | 脚位/封装 | 電壓(伏) | 速度 | 溫度規格 |
|---|---|---|---|---|
| AS4C32M16D2-25BCN | FBGA-84 | 1.8 V | 800 MBPS | 0 C~+95 C |
| AS4C32M16D2-25BCNTR | FBGA-84 | 1.8 V | 800 MBPS | 0 C~+95 C |
| AS4C32M16D2A-25BCN | FBGA-84 | 1.8 V | 800 MBPS | 0 C~+95 C |
| AS4C32M16D2A-25BCNTR | FBGA-84 | 1.8 V | 800 MBPS | 0 C~+95 C |
| EDE5116AHBG-8E-E | FBGA-84 | 1.8 V | 800 MBPS | 0 C~+95 C |
| EDE5116AHSE-8E- | FBGA-84 | 1.8 V | 800 MBPS | 0 C~+95 C |
| EDE5116AHSE-8E-E | FBGA-84 | 1.8 V | 800 MBPS | 0 C~+95 C |
| EDE5116AJBG-8E | FBGA-84 | 1.8 V | 800 MBPS | 0 C~+95 C |
| EDE5116AJBG-8E-E | FBGA-84 | 1.8 V | 800 MBPS | 0 C~+95 C |
| EDE5116AJBG-8E-E NBSP | FBGA-84 | 1.8 V | 800 MBPS | 0 C~+95 C |