K4T51163QN-BIE6

產品概述

IC Picture

圖片僅供參考

製造商IC編號 K4T51163QN-BIE6
廠牌 SAMSUNG/三星
IC 類別 DDR2 SDRAM
IC代碼 32MX16 DDR2

產品詳情

脚位/封装 FBGA-84
外包裝 TRAY
無鉛/環保 無鉛/環保
電壓(伏) 1.8 V
溫度規格 -40 C~+85 C
速度 667 MBPS
標準包裝數量 1280
標準外箱
Number Of Words 32M
Bit Organization x16
Density 512M
Internal Banks 4 Banks
Generation 14th Generation
Power Normal Power

FFFE/互通料號 (形式,腳位和功能對等)

IC 編號 脚位/封装 電壓(伏) 速度 溫度規格
EM68B16CWQD-3IH FBGA-84 1.8 V 667 MBPS -40 C~+85 C
HY5PS121621CFP-Y4I FBGA-84 1.8 V 667 MBPS -40 C~+85 C
HY5PS121621CFP-Y5I FBGA-84 1.8 V 667 MBPS -40 C~+85 C
HY5PS121621CLFP-Y4I FBGA-84 1.8 V 667 MBPS -40 C~+85 C
HY5PS121621CLFP-Y5I FBGA-84 1.8 V 667 MBPS -40 C~+85 C
K4T51163QI-HIE60CV FBGA-84 1.8 V 667 MBPS -40 C~+85 C
K4T51163QJ-BIE6TCV FBGA-84 1.8 V 667 MBPS -40 C~+85 C
K4T51163QQ-BIE6 FBGA-84 1.8 V 667 MBPS -40 C~+85 C
K4T51163QQ-BIE6000 FBGA-84 1.8 V 667 MBPS -40 C~+85 C
K4T51163QQ-BIE6TCV FBGA-84 1.8 V 667 MBPS -40 C~+85 C