H5TC4G83EFR-RDA

Produktübersicht

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Hersteller-Nummer H5TC4G83EFR-RDA
Hersteller SK HYNIX
Produktkategorie DDR3L SDRAM
IC-Code 512MX8 DDR3L
Andere Bezeichnungen H5TC4G83EFR-RDAN
H5TC4G83EFR-RDAR

Produktbeschreibung

Gehäuse FBGA-78
Verpackung TRAY
RoHS RoHS
Spannungsversorgung 1.35V
Betriebstemperatur 0 C~+95 C
Geschwindigkeit 1866 MBPS
Standard Stückzahl 160
Abmessungen Karton
Number Of Words 512M
Bit Organization x8
Density 4G
Operating Temperature commercial temperature(0°C~85°C) & 1.35 VDD power
Package Material lead & halogen free(ROHS compliant)
Hynix Memory H
No Of Banks 8 banks
Die Generation 6th
Product Family DRAM
Shipping Method tray

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
H5TC4G83EFR-RDA 8.000 2025+ Anfrage senden
H5TC4G83EFR-RDA 10.000 23+ Anfrage senden
H5TC4G83EFR-RDA 20.000 Anfrage senden
H5TC4G83EFR-RDA 2.000 23+ Anfrage senden
H5TC4G83EFR-RDA 16.396 Anfrage senden
H5TC4G83EFR-RDAN 16.000 Anfrage senden
H5TC4G83EFR-RDAR 6.000 2107+ Anfrage senden
H5TC4G83EFR-RDA 12.800 Anfrage senden
H5TC4G83EFR-RDAR 50.000 Anfrage senden
H5TC4G83EFR-RDA 0 Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
AS4C512M8D3LB-10BCN FBGA-78 1.35V 1866 MBPS 0 C~+95 C
AS4C512M8D3LB-10BCNTR FBGA-78 1.35V 1866 MBPS 0 C~+95 C
E3CC4G80EN-EK FBGA-78 1.35 V 1866 MBPS 0 C~+95 C
E3CC4G80EQ-EK FBGA-78 1.35 V 1866 MBPS 0 C~+95 C
K4B4G0846E-BCMA0CV FBGA-78 1.35V 1866 MBPS 0 C~+95 C
NT5CC512M8DN-EK TFBGA-78 1.35V 1866 MBPS 0 C~+95 C
NT5CC512M8EA-EK TFBGA-78 1.35V 1866 MBPS 0 C~+95 C
NT5CC512M8EN-DI/EK TFBGA-78 1.35V 1866 MBPS 0 C~+95 C
NT5CC512M8EN-EK TFBGA-78 1.35V 1866 MBPS 0 C~+95 C
NT5CC512M8EQ-EK TFBGA-78 1.35V 1866 MBPS 0 C~+95 C