H9HCNNNBPUMLHR-NLE

Produktübersicht

IC Picture

Bilder dienen nur der Illustration

Hersteller-Nummer H9HCNNNBPUMLHR-NLE
Hersteller SK HYNIX
Produktkategorie LPDDR4 SDRAM
IC-Code 512MX32 LPDDR4

Produktbeschreibung

Gehäuse FBGA-200
Verpackung
RoHS RoHS
Spannungsversorgung 1.1 V
Betriebstemperatur -25 C~+85 C
Geschwindigkeit 3200 MBPS
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Package Material Lead & Halogen Free
Hynix Memory H
Product Mode LPDDR4 Only
Generation 1st
Dram Voltage 1.1V/1.1V,LPDDR4
Nvm Option None
Dram Density 16Gb, QDP, 2Ch, 2CS
Nvm Speed none

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
H9HCNNNBPUMLHR-NLE 0 Anfrage senden
H9HCNNNBPUMLHR-NLE 15.000 24+ Anfrage senden
H9HCNNNBPUMLHR-NLE 4.046 Anfrage senden
H9HCNNNBPUMLHR-NLE 896 1927+ Anfrage senden
H9HCNNNBPUMLHR-NLE 20.000 Anfrage senden
H9HCNNNBPUMLHR-NLE 398 19+PB Anfrage senden
H9HCNNNBPUMLHR-NLE 10.000 Anfrage senden
H9HCNNNBPUMLHR-NLE 85 801A Anfrage senden
H9HCNNNBPUMLHR-NLE 27.922 Anfrage senden
H9HCNNNBPUMLHR-NLE 8.000 Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
K4F6E304EB-EGCF000 FBGA-200 1.1 V 3200 MBPS -25 C~+85 C
K4F6E304EB-MGCH FBGA-200 1.1 V 3200 MBPS -25 C~+85 C
K4F6E304HB-MGC FBGA-200 1.1 V 3200 MBPS -25 C~+85 C
K4F6E304HB-MGCH FBGA-200 1.1 V 3200 MBPS -25 C~+85 C
K4F6E304HB-MGCH000 FBGA-200 1.1 V 3200 MBPS -25 C~+85 C