H9HCNNNBPUMLHR-NLE

产品概述

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制造商IC编号 H9HCNNNBPUMLHR-NLE
厂牌 SK HYNIX/海力士
IC 类别 LPDDR4 SDRAM
IC代码 512MX32 LPDDR4

产品详情

脚位/封装 FBGA-200
外包装
无铅/环保 无铅/环保
电压(伏) 1.1 V
温度规格 -25 C~+85 C
速度 3200 MBPS
标准包装数量
标准外箱
Package Material Lead & Halogen Free
Hynix Memory H
Product Mode LPDDR4 Only
Generation 1st
Dram Voltage 1.1V/1.1V,LPDDR4
Nvm Option None
Dram Density 16Gb, QDP, 2Ch, 2CS
Nvm Speed none

供应链有货

IC 编号 数量 生产年份
H9HCNNNBPUMLHR-NLE 0 索取报价
H9HCNNNBPUMLHR-NLE 15,000 24+ 索取报价
H9HCNNNBPUMLHR-NLE 4,046 索取报价
H9HCNNNBPUMLHR-NLE 896 1927+ 索取报价
H9HCNNNBPUMLHR-NLE 20,000 索取报价
H9HCNNNBPUMLHR-NLE 398 19+PB 索取报价
H9HCNNNBPUMLHR-NLE 10,000 索取报价
H9HCNNNBPUMLHR-NLE 85 801A 索取报价
H9HCNNNBPUMLHR-NLE 27,922 索取报价
H9HCNNNBPUMLHR-NLE 8,000 索取报价

FFFE/互通料号 (形式,腳位和功能对等)

IC 编号 脚位/封装 电压(伏) 速度 温度规格
K4F6E304EB-EGCF000 FBGA-200 1.1 V 3200 MBPS -25 C~+85 C
K4F6E304EB-MGCH FBGA-200 1.1 V 3200 MBPS -25 C~+85 C
K4F6E304HB-MGC FBGA-200 1.1 V 3200 MBPS -25 C~+85 C
K4F6E304HB-MGCH FBGA-200 1.1 V 3200 MBPS -25 C~+85 C
K4F6E304HB-MGCH000 FBGA-200 1.1 V 3200 MBPS -25 C~+85 C