H9HCNNNBPUMLHR-NLE

產品概述

IC Picture

圖片僅供參考

製造商IC編號 H9HCNNNBPUMLHR-NLE
廠牌 SK HYNIX/海力士
IC 類別 LPDDR4 SDRAM
IC代碼 512MX32 LPDDR4

產品詳情

脚位/封装 FBGA-200
外包裝
無鉛/環保 無鉛/環保
電壓(伏) 1.1 V
溫度規格 -25 C~+85 C
速度 3200 MBPS
標準包裝數量
標準外箱
Package Material Lead & Halogen Free
Hynix Memory H
Product Mode LPDDR4 Only
Generation 1st
Dram Voltage 1.1V/1.1V,LPDDR4
Nvm Option None
Dram Density 16Gb, QDP, 2Ch, 2CS
Nvm Speed none

供應鏈有貨

IC 編號 數量 生產年份
H9HCNNNBPUMLHR-NLE 0 索取報價
H9HCNNNBPUMLHR-NLE 15,000 24+ 索取報價
H9HCNNNBPUMLHR-NLE 4,046 索取報價
H9HCNNNBPUMLHR-NLE 896 1927+ 索取報價
H9HCNNNBPUMLHR-NLE 20,000 索取報價
H9HCNNNBPUMLHR-NLE 398 19+PB 索取報價
H9HCNNNBPUMLHR-NLE 10,000 索取報價
H9HCNNNBPUMLHR-NLE 85 801A 索取報價
H9HCNNNBPUMLHR-NLE 27,922 索取報價
H9HCNNNBPUMLHR-NLE 8,000 索取報價

FFFE/互通料號 (形式,腳位和功能對等)

IC 編號 脚位/封装 電壓(伏) 速度 溫度規格
K4F6E304EB-EGCF000 FBGA-200 1.1 V 3200 MBPS -25 C~+85 C
K4F6E304EB-MGCH FBGA-200 1.1 V 3200 MBPS -25 C~+85 C
K4F6E304HB-MGC FBGA-200 1.1 V 3200 MBPS -25 C~+85 C
K4F6E304HB-MGCH FBGA-200 1.1 V 3200 MBPS -25 C~+85 C
K4F6E304HB-MGCH000 FBGA-200 1.1 V 3200 MBPS -25 C~+85 C