H9HCNNNBPUMLHR-NMO

Produktübersicht

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Hersteller-Nummer H9HCNNNBPUMLHR-NMO
Hersteller SK HYNIX
Produktkategorie LPDDR4 SDRAM
IC-Code 512MX32 LPDDR4

Produktbeschreibung

Gehäuse FBGA-200
Verpackung
RoHS RoHS
Spannungsversorgung 1.1 V
Betriebstemperatur -40 C~+105 C
Geschwindigkeit 3733 MBPS
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Package Material Lead & Halogen Free
Hynix Memory H
Product Mode LPDDR4 Only
Generation 1st
Dram Voltage 1.1V/1.1V,LPDDR4
Nvm Option None
Dram Density 16Gb, QDP, 2Ch, 2CS
Nvm Speed none

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
H9HCNNNBPUMLHR-NMO 21.386 2020+ Anfrage senden
H9HCNNNBPUMLHR-NMO 427 2020+ Anfrage senden
H9HCNNNBPUMLHR-NMO 0 Anfrage senden
H9HCNNNBPUMLHR-NMO 3.400 Anfrage senden
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H9HCNNNBPUMLHR-NMO 3.000 19+ Anfrage senden
H9HCNNNBPUMLHR-NMO 405 Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
IS46LQ32512A-053BLA2 TFBGA-200 1.1 V 3733 MBPS -40 C~+105 C
MT53D512M32D2DS-053 AAT ES:D WFBGA-200 1.1 V 3733 MBPS -40 C~+105 C
MT53D512M32D2DS-053 AAT:D WFBGA-200 1.1 V 3733 MBPS -40 C~+105 C
MT53D512M32D2DS-053 AAT:D TR WFBGA-200 1.1 V 3733 MBPS -40 C~+105 C
NT6AN512T32AV-J2I WFBGA-200 1.1 V 3733 MBPS -40 C~+105 C
NT6AN512T32AV-J2I TR WFBGA-200 1.1 V 3733 MBPS -40 C~+105 C