H9HCNNNBPUMLHR-NMO
产品概述
图片仅供参考
| 制造商IC编号 | H9HCNNNBPUMLHR-NMO |
| 厂牌 | SK HYNIX/海力士 |
| IC 类别 | LPDDR4 SDRAM |
| IC代码 | 512MX32 LPDDR4 |
产品详情
| 脚位/封装 | FBGA-200 |
| 外包装 | |
| 无铅/环保 | 无铅/环保 |
| 电压(伏) | 1.1 V |
| 温度规格 | -40 C~+105 C |
| 速度 | 3733 MBPS |
| 标准包装数量 | |
| 标准外箱 | |
| Package Material | Lead & Halogen Free |
| Hynix Memory | H |
| Product Mode | LPDDR4 Only |
| Generation | 1st |
| Dram Voltage | 1.1V/1.1V,LPDDR4 |
| Nvm Option | None |
| Dram Density | 16Gb, QDP, 2Ch, 2CS |
| Nvm Speed | none |
FFFE/互通料号 (形式，腳位和功能对等)
| IC 编号 | 脚位/封装 | 电压(伏) | 速度 | 温度规格 |
|---|---|---|---|---|
| IS46LQ32512A-053BLA2 | TFBGA-200 | 1.1 V | 3733 MBPS | -40 C~+105 C |
| MT53D512M32D2DS-053 AAT ES:D | WFBGA-200 | 1.1 V | 3733 MBPS | -40 C~+105 C |
| MT53D512M32D2DS-053 AAT:D | WFBGA-200 | 1.1 V | 3733 MBPS | -40 C~+105 C |
| MT53D512M32D2DS-053 AAT:D TR | WFBGA-200 | 1.1 V | 3733 MBPS | -40 C~+105 C |
| NT6AN512T32AV-J2I | WFBGA-200 | 1.1 V | 3733 MBPS | -40 C~+105 C |
| NT6AN512T32AV-J2I TR | WFBGA-200 | 1.1 V | 3733 MBPS | -40 C~+105 C |