H9HCNNNBPUMLHR-NMO
產品概述
圖片僅供參考
| 製造商IC編號 | H9HCNNNBPUMLHR-NMO |
| 廠牌 | SK HYNIX/海力士 |
| IC 類別 | LPDDR4 SDRAM |
| IC代碼 | 512MX32 LPDDR4 |
產品詳情
| 脚位/封装 | FBGA-200 |
| 外包裝 | |
| 無鉛/環保 | 無鉛/環保 |
| 電壓(伏) | 1.1 V |
| 溫度規格 | -40 C~+105 C |
| 速度 | 3733 MBPS |
| 標準包裝數量 | |
| 標準外箱 | |
| Package Material | Lead & Halogen Free |
| Hynix Memory | H |
| Product Mode | LPDDR4 Only |
| Generation | 1st |
| Dram Voltage | 1.1V/1.1V,LPDDR4 |
| Nvm Option | None |
| Dram Density | 16Gb, QDP, 2Ch, 2CS |
| Nvm Speed | none |
FFFE/互通料號 (形式，腳位和功能對等)
| IC 編號 | 脚位/封装 | 電壓(伏) | 速度 | 溫度規格 |
|---|---|---|---|---|
| IS46LQ32512A-053BLA2 | TFBGA-200 | 1.1 V | 3733 MBPS | -40 C~+105 C |
| MT53D512M32D2DS-053 AAT ES:D | WFBGA-200 | 1.1 V | 3733 MBPS | -40 C~+105 C |
| MT53D512M32D2DS-053 AAT:D | WFBGA-200 | 1.1 V | 3733 MBPS | -40 C~+105 C |
| MT53D512M32D2DS-053 AAT:D TR | WFBGA-200 | 1.1 V | 3733 MBPS | -40 C~+105 C |
| NT6AN512T32AV-J2I | WFBGA-200 | 1.1 V | 3733 MBPS | -40 C~+105 C |
| NT6AN512T32AV-J2I TR | WFBGA-200 | 1.1 V | 3733 MBPS | -40 C~+105 C |