HY57V281602ETH

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Hersteller-Nummer HY57V281602ETH
Hersteller SK HYNIX
Produktkategorie SDRAM
IC-Code 8MX16 SD

Produktbeschreibung

Gehäuse TSOP2(54)
Verpackung TRAY
RoHS RoHS
Spannungsversorgung 3.3 V
Betriebstemperatur 0 ~ 70 C
Geschwindigkeit 133 MHZ
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words 8M
Bit Organization x16
Density 128M
Package Material normal
Hynix Memory HY
Die Generation 6th Gen.
Power Consumption normal power
Shipping Method tray

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
EDS1216AATA-75 TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ 0 C~+70 C
EDS1216AATA-75-E TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ 0 C~+70 C
EDS1216AATA-75-E TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ 0 C~+70 C
EDS1216AATA-75-F TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ 0 C~+70 C
EDS1216AATA-75E (LEADFREE TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ 0 C~+70 C
EDS1216AATA-75L-E TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ 0 C~+70 C
EDS1216AATA-75TH-E TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ 0 C~+70 C
EDS1216AATA75E128MTSOP TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ 0 C~+70 C
EDS1216AGTA-75 TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ 0 C~+70 C
EDS1216AGTA-75-E TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ 0 C~+70 C