HY57V281602ETH

产品概述

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制造商IC编号 HY57V281602ETH
厂牌 SK HYNIX/海力士
IC 类别 SDRAM
IC代码 8MX16 SD

产品详情

脚位/封装 TSOP2(54)
外包装 TRAY
无铅/环保 无铅/环保
电压(伏) 3.3 V
温度规格 0 ~ 70 C
速度 133 MHZ
标准包装数量
标准外箱
Number Of Words 8M
Bit Organization x16
Density 128M
Package Material normal
Hynix Memory HY
Die Generation 6th Gen.
Power Consumption normal power
Shipping Method tray

FFFE/互通料号 (形式,腳位和功能对等)

IC 编号 脚位/封装 电压(伏) 速度 温度规格
EDS1216AATA-75 TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ 0 C~+70 C
EDS1216AATA-75-E TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ 0 C~+70 C
EDS1216AATA-75-E TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ 0 C~+70 C
EDS1216AATA-75-F TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ 0 C~+70 C
EDS1216AATA-75E (LEADFREE TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ 0 C~+70 C
EDS1216AATA-75L-E TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ 0 C~+70 C
EDS1216AATA-75TH-E TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ 0 C~+70 C
EDS1216AATA75E128MTSOP TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ 0 C~+70 C
EDS1216AGTA-75 TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ 0 C~+70 C
EDS1216AGTA-75-E TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ 0 C~+70 C