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Hersteller-Nummer | K4A4G085WE-BITD |
Hersteller | SAMSUNG |
Produktkategorie | DDR4 SDRAM |
IC-Code | 512MX8 DDR4 |
Andere Bezeichnungen | K4A4G085WE-BITD000 |
Gehäuse | FBGA-78 |
Verpackung | |
RoHS | RoHS |
Spannungsversorgung | 1.2V |
Betriebstemperatur | -40 C~+95 C |
Geschwindigkeit | 2666 MBPS |
Standard Stückzahl | |
Abmessungen Karton | |
Number Of Words | 512M |
Bit Organization | x8 |
Density | 4Gb |
Internal Banks | 16 Banks |
Generation | 6th Generation |
Power | Normal Power |
Teilenummer | Menge | Datecode | |
---|---|---|---|
K4A4G085WE-BITD000 | 16.640 | Anfrage senden | |
K4A4G085WE-BITD | 2.000 | Anfrage senden |
Teilenummer | Gehäuse | Spannungsversorgung | Geschwindigkeit | Betriebstemperatur |
---|---|---|---|---|
MT40A512M8SA-062E IT:F | FBGA-78 | 1.2V | 3200 MBPS | -40 C~+95 C |
Teilenummer | Gehäuse | Spannungsversorgung | Geschwindigkeit | Betriebstemperatur |
---|---|---|---|---|
H5AN4G8NBJR-VKI | FBGA-78 | 1.2 V | 2666 MBPS | -40 C~+95 C |
MT40A512M8RH-075E AIT:B | FBGA-78 | 1.2V | 2666 MBPS | -40 C~+95 C |
MT40A512M8RH-075E IT:B | FBGA-78 | 1.2V | 2666 MBPS | -40 C~+95 C |
MT40A512M8RH-075EAITB | FBGA-78 | 1.2V | 2666 MBPS | -40 C~+95 C |
NT5AD512M8D3-HRI | TFBGA-78 | 1.2 V | 2666 MBPS | -40 C~+95 C |