K4A4G085WE-BITD

Produktübersicht

IC Picture

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Hersteller-Nummer K4A4G085WE-BITD
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie DDR4 SDRAM
IC-Code 512MX8 DDR4
Andere Bezeichnungen K4A4G085WE-BITD000

Produktbeschreibung

Gehäuse FBGA-78
Verpackung
RoHS RoHS
Spannungsversorgung 1.2V
Betriebstemperatur -40 C~+95 C
Geschwindigkeit 2666 MBPS
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words 512M
Bit Organization x8
Density 4Gb
Internal Banks 16 Banks
Generation 6th Generation
Power Normal Power

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K4A4G085WE-BITD000 16.640 Anfrage senden
K4A4G085WE-BITD 2.000 Anfrage senden

Cross Reference

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
MT40A512M8SA-062E IT:F FBGA-78 1.2V 3200 MBPS -40 C~+95 C

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
H5AN4G8NBJR-VKI FBGA-78 1.2 V 2666 MBPS -40 C~+95 C
MT40A512M8RH-075E AIT:B FBGA-78 1.2V 2666 MBPS -40 C~+95 C
MT40A512M8RH-075E IT:B FBGA-78 1.2V 2666 MBPS -40 C~+95 C
MT40A512M8RH-075EAITB FBGA-78 1.2V 2666 MBPS -40 C~+95 C
NT5AD512M8D3-HRI TFBGA-78 1.2 V 2666 MBPS -40 C~+95 C