K4A4G085WE-BITD
Produktübersicht
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| Hersteller-Nummer | K4A4G085WE-BITD |
| Hersteller | SAMSUNG |
| Produktkategorie | DDR4 SDRAM |
| IC-Code | 512MX8 DDR4 |
| Andere Bezeichnungen | K4A4G085WE-BITD000 |
Produktbeschreibung
| Gehäuse | FBGA-78 |
| Verpackung | |
| RoHS | RoHS |
| Spannungsversorgung | 1.2 V |
| Betriebstemperatur | -40 C~+95 C |
| Geschwindigkeit | 2666 MBPS |
| Standard Stückzahl | |
| Abmessungen Karton | |
| Number Of Words | 512M |
| Bit Organization | x8 |
| Density | 4Gb |
| Internal Banks | 16 Banks |
| Power | Normal Power |
| Generation | 6th Generation |
Verfügbare Angebote
| Teilenummer | Menge | Datecode | |
|---|---|---|---|
| K4A4G085WE-BITD | 17.920 | 25+ | Anfrage senden |
| K4A4G085WE-BITD | 0 | Anfrage senden | |
| K4A4G085WE-BITD000 | 16.640 | Anfrage senden | |
| K4A4G085WE-BITD | 2.000 | Anfrage senden |
Cross Reference
| Teilenummer | Gehäuse | Spannungsversorgung | Geschwindigkeit | Betriebstemperatur |
|---|---|---|---|---|
| MT40A512M8SA-062E IT:F | FBGA-78 | 1.2 V | 3200 MBPS | -40 C~+95 C |
FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)
| Teilenummer | Gehäuse | Spannungsversorgung | Geschwindigkeit | Betriebstemperatur |
|---|---|---|---|---|
| H5AN4G8NBJR-VKI | FBGA-78 | 1.2 V | 2666 MBPS | -40 C~+95 C |
| MT40A512M8RH-075E AIT:B | FBGA-78 | 1.2 V | 2666 MBPS | -40 C~+95 C |
| MT40A512M8RH-075E AIT:B TR | FBGA-78 | 1.2 V | 2666 MBPS | -40 C~+95 C |
| MT40A512M8RH-075E IT:B | FBGA-78 | 1.2 V | 2666 MBPS | -40 C~+95 C |
| MT40A512M8RH-075EAITB | FBGA-78 | 1.2 V | 2666 MBPS | -40 C~+95 C |
| NT5AD512M8D3-HRI | TFBGA-78 | 1.2 V | 2666 MBPS | -40 C~+95 C |
| NT5AD512M8E3-HRI | TFBGA-78 | 1.2 V | 2666 MBPS | -40 C~+95 C |