K4A4G085WE-BITD
产品概述
图片仅供参考
| 制造商IC编号 | K4A4G085WE-BITD |
| 厂牌 | SAMSUNG/三星 |
| IC 类别 | DDR4 SDRAM |
| IC代码 | 512MX8 DDR4 |
| 共通IC编号 | K4A4G085WE-BITD000 |
产品详情
| 脚位/封装 | FBGA-78 |
| 外包装 | |
| 无铅/环保 | 无铅/环保 |
| 电压(伏) | 1.2V |
| 温度规格 | -40 C~+95 C |
| 速度 | 2666 MBPS |
| 标准包装数量 | |
| 标准外箱 | |
| Number Of Words | 512M |
| Bit Organization | x8 |
| Density | 4Gb |
| Internal Banks | 16 Banks |
| Generation | 6th Generation |
| Power | Normal Power |
可替代IC编号
| IC 编号 | 脚位/封装 | 电压(伏) | 速度 | 温度规格 |
|---|---|---|---|---|
| MT40A512M8SA-062E IT:F | FBGA-78 | 1.2V | 3200 MBPS | -40 C~+95 C |
FFFE/互通料号 (形式，腳位和功能对等)
| IC 编号 | 脚位/封装 | 电压(伏) | 速度 | 温度规格 |
|---|---|---|---|---|
| H5AN4G8NBJR-VKI | FBGA-78 | 1.2 V | 2666 MBPS | -40 C~+95 C |
| MT40A512M8RH-075E AIT:B | FBGA-78 | 1.2V | 2666 MBPS | -40 C~+95 C |
| MT40A512M8RH-075E IT:B | FBGA-78 | 1.2V | 2666 MBPS | -40 C~+95 C |
| MT40A512M8RH-075EAITB | FBGA-78 | 1.2V | 2666 MBPS | -40 C~+95 C |
| NT5AD512M8D3-HRI | TFBGA-78 | 1.2 V | 2666 MBPS | -40 C~+95 C |